东芝推24nm SmartNAND闪存芯片 具备片上纠错功能

东芝将用24nm的SmartNAND——一种带有片上纠错功能的闪存——取代现有32nm制程的闪存芯片。

新的SmartNAND芯片将有更快速的控制器，提供更高的读写速度，不过目前东芝并没有透露任何相关数据。这款芯片将提供5个容量点，从4GB到64GB不等，具备片上ECC功能，这使得主机系统无需在闪存存储上运行ECC功能。

东芝表示，SmartNAND芯片将面向“消费级应用”，包括数字音频播放器、平板电脑、信息设备、数字电视、机顶盒和其他应用程序。“我们设想这种芯片将分为SLC和MLC版本，分别针对性能和容量进行了优化。”

更小的NAND制程工艺提供更高容量的闪存模片，但是也降低了芯片的耐用性，更加强调控制器功能。

英特尔和美光没有都拥有25nnm工艺，三星有30nm以下的工艺但没有透露具体的纳米测量数据。

东芝将从今年第二三季度开始量产SmartNAND。