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“当前，越来越来多的流行消费电子和计算设备都转向了半导体存储，为此我们改善了NAND闪存对于数据的访问和传输。”美光存储器群组高级营销总监Bill Lauer说，“随着高速NAND拥有更高的速度，性能优势对于消费者将非常明显，使他们可以体验到更快的数字内容传输速度，例如在计算机、数码相机、MP3和手机上。”
这款新型NAND闪存基于50nm制程设计，遵循ONFI 2.0规范，并采用四面结构，拥有极高的时钟频率。
美光表示目前已经向主要的OEM及控制器厂商提供该产品的工程样品，量产预计将会在2008年二季度开始。同时该公司还将计划在明年推出更高多ONFI 2.0接口的NAND闪存。
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