日本无晶圆公司Genusion透露新型4M闪存技术

日本无晶圆芯片设计公司Genusion Inc.日前透露其已将新型4M闪存技术用于生产。

据悉，Genusion一直开发其所谓的“B4-Flash”技术，该技术利用公司专有的B4-HE（back bias assisted band-to-band tunneling induced hot electron）注入技术来进行编程。

该技术解决了一个编程速度的问题。公司称，这项技术改进了编程速度，这是目前闪存中最重要的问题之一。

目前闪存编程速度在1-10Mbit/s，相当于硬盘的十分之一。根据该公司的说法，B4-HE技术可以实现100Mbit/s的编程速度。

该公司还称其已使用目前的闪存工艺技术试产了4M测试芯片，预计2009年将正式投入生产。据悉，该公司将在IEEE非易失半导体存储研讨会上展示其最新的成果。