海力士获得ISi授权 2010年Z-RAM有望上市

Innovative Silicon（ISi）宣布，海力士半导体（Hynix Semiconductor）已经获得了该公司Z-RAM技术的授权，这种新型的存储器将有可能在2010年正式推出，交易的金额超过了1000万美元。ISi预测，这种低成本的内存方案市场将达到300亿美元之巨。

ISi表示，在接下来的两年里，将会和海力士进行紧密的合作，开发出可量产的内存产品，并完成产品化，其插槽和现有的DRAM兼容。研发将在ISi的瑞士洛桑（Lausanne）、美国加州圣克拉拉（Santa Clara）以及海力士的韩国晶圆工厂内进行，不过目前还没有公布具体的研发和产品化的进度日程。

ISi市场部副总裁Jeff Lewis和CEO Mark-Eric Jones均表示，从授权到生产通常需要三年的磨合期。Jones同时指出，他们非常肯定ISi的技术能够为DRAM市场带来利益，而在获得授权之前，海力士对Z-RAM进行了长达一年的深度评估。

Z-RAM要比传统DRAM更出色的地方，在于使用“位单元”（bitcell）结构，而不是电容器，其密度可以达到传统DRAM的两倍，SRAM的5倍。和传统DRAM相比，它的速度更快，同时由于芯片面积可以做得更小，功耗和DRAM相当。ISi的设计可以充分地优化速度或者功耗，有效地提高效率。

Lewis指出，ISi目前可以使Z-RAM工作在500MHz左右的主频上，虽然速度比大部分SRAM应用明显要慢，但是优势在于Die的尺寸相同时，缓存容量可以达到SRAM的5倍。

和基于电容器的传统DRAM相比，Z-RAM对于生产设备和制程的要求更低，过渡期很短，出错率也极少。Z-RAM使用的是SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘硅）制程，使用MOSFET的信道撷取电荷来存储数据，这种电荷会增大浮体效应（Foating-Body Effect）。尽管SOI目前还没有被普遍采用，不过转换生产Z-RAM都不会有太大问题。

ISi公司拥有“至少”25个位单元的专利，包括电路和接口架构，此外还有超过50个末决的申请。Z-RAM目前已经是第二代，已经确认将会使用45nm制程，比第一代的耗电量要低得多，仅为1/25，尤其是写过程，功耗下降更加明显。Z-RAM的目标是将是内存模组，微处理器和SoC（System-on-chip，片上系统）。

由于Z-RAM的关系，海力士同时也得到了AMD的授权，AMD在2006年1月时就推出了ISi的第一代产品，同年12月，AMD和ISi联合将Z-RAM升级为第二代。有消息称AMD未来的微处理器中将会使用Z-RAM作为L3缓存，尽管目前还没有任何的实际产品。