U盘控制IC进入50纳米制程 群联新品支持SLC和MLC双通道

近一年以来NAND型闪存产业陆续发生重大变化，包括从单层单元（SLC，Single-Level-Cell）技术转移至多层单元（MLC，Multi-Level-Cell）技术、制程转进63纳米制程且50纳米制程也即将量产，近期控制IC厂商也开始紧急备战，日前群联抢先推出了一颗支持三星电子（Samsung Electronics）50纳米制程和东芝（Toshiba）56纳米制程的U盘控制IC，且可以同时支持SLC和MLC的双通道技术，预计4月可步入量产。

在NAND型Flash价格越来越便宜和成本下降的考虑下，主流的NAND型闪存规格已由过去的SLC转向成本便宜、性能较低的MLC上，目前MLC已占领NAND型闪存产业80％以上的市场，存储卡和U盘控制IC厂商也逐渐将心力花在支持MLC制程上。

此外，由于2006年第三季存储卡产业曾经因为经历三星的63纳米制程发生控制IC不兼容的事件，引发规模不小的退货风潮，因此这次NAND型闪存产业制程再度前进至50纳米制程，制程技术的难度再升一级，因此众家控制IC设计公司的态度都是战战兢兢。

群联日前抢先推出新的U盘控制IC PS2231产品，除了可同时支持SLC和MLC技术外，也是少数可同时支持三星50纳米和东芝56纳米制程的控制IC，抢在下半年NAND型闪存产业50纳米制程成熟前，先提前布局卡位。

群联表示，这颗U盘控制IC可支持微软新操作系统Vista的Readyboost功能，且同时支持SLC和MLC的双通道技术，在只有一颗MLC型NAND型闪存的情况下，达到读取速度每秒5MB和写入速度3MB的效能，且大幅提升了ECC（Error Correction Code）能力。

此外，这颗控制IC还有一项功能，就是可以随时为客户完整的更新Firmware，过去一般称可以更新Firmware的控制IC，大部分是做到部分更新，很少做到完整、全面更新，这点也是群联这款新产品的主要功能之一。