SanDisk和Hynix启动NAND业务的合资计划

SanDisk公司和Hynix半导体公司计划合资开发和生产基于每单元4bit（Four-bit-per-cell）技术的闪存和NAND产品。两家公司在伦敦当地时间3月21日签定了关于闪存专利的交互授权协议，结束了长时间的纠纷。

按照合资协议的内容，两家公司的将投资加大Hynix的产能，双方的投资总额相等。Hynix和Msystems公司的每单元4bit技术的合作也正式开始。去年7月，SanDisk用13.5亿美元收购了Msystems公司。

“有了专利交叉许可，我们将专注于双方在X4技术的研发中的合作，我们希望两家公司建立一个互利的合作关系。”Hynix的高级副总裁O.C. Kwon说。

SanDisk的主席和CEO说：“专利交互授权协议的签定解决了Hynix和SanDisk之间的知识产权问题，每个公司都可以把重点放在利益的最大化上。”