飞思卡尔研发4Mb MRAM即将小量出货

飞思卡尔（Freescale）日前宣布，公司4Mb磁电阻式随机存取内存（magnetic random access memories；MRAM）即将出货；对此，外界认为，继DRAM、SRAM和Flash主导内存市场多年后，飞思卡尔MRAM在推出样本2年之后，进而投入商业市场，可谓一大突破。

总部位于德州奥斯汀（Austin）的飞思卡尔，过去隶属于母公司摩托罗拉（Motorola）旗下，即致力发展MRAM，早在2003年底即宣布4Mb样本问世，此次小量出货MRAM，每颗芯片价格约为25美元；Semico Research分析师指出，飞思卡尔此次在MRAM的进展，意谓着内存技术走上新的时代。

事实上，除了飞思卡尔之外，包括IBM、柏士半导体（Cypress）等多家厂商，过去几年来均投入研发新内存技术的工作，然而最后却不一定有成果，如柏士于2005年初宣布出售MRAM事业。

不过目前MRAM仍缺乏储存容量和价格上的优势，对于投入PC或手机等需求量极大的市场，尚未具备足够筹码；相较之下，DRAM的价格低廉，且能储存高容量，但其为挥发性的内存产品，未通电的情况下无法保留数据，而虽然MRAM为非挥发性（Non-Volatile）内存，具有高读写速度的优点，但是若与DRAM一般512Mb价格仅为5美元相比，价格上贵了许多。

飞思卡尔策略及事业发展副总裁Sumit Sadana表示，该公司将持续发展嵌入式装置相关技术，而非朝向主流内存市场，不过也可能会将技术授权予其它业者。

柏士执行长T.J. Rodgers则除了赞赏飞思卡尔技术上的突破之外，却也对MRAM未来是否能广泛使用保持怀疑，当时柏士考虑到MRAM恐无法如SRAM般便宜，加上须投入更多资金解决部分技术难题等因素，因而决定作罢。