东芝发布新型闪存LBA-NAND

熟悉硬盘的人，应该对LBA并不陌生，它就是逻辑块寻址（Logical Block Addressing）的英文缩写，而东芝则将其与NAND闪存结为一体，于今天发布了全新的闪存家族——LBA-NAND（目前已经被东芝注册为商标）。

东芝表示，LBA-NAND将LBA寻址方式与NAND闪存相结合，专门应对移动消息电子产品，比如数字音频播放器与个人媒体播放器（PMP，Personal Media Players），并且仍可保留NAND闪存在生产方面的优势，将大容量产品的开发成本降至最低。东芝将于2006年8月开始对外提供LBA-NAND样品。

目前的NAND闪存使用物理地址访问方式来定义闪存中每一个页面的地址，寻址的过程依次是芯片——数据块——页面——存储单元。生产商要开发主机端与驱动程序规范来识别和提供物理地址。而当NAND闪存芯片的容量提升后，生产商则要忍受新的研究与开发（R&D）成本，来制定新的产品规范与驱动程序以应对容量的提升。

采用LBA方式后，每个存储单元均具备唯一的地址编号，而不是一个几何交叉的节点（行、列寻址）。第一个存储单元的地址就是0，并依此类推，为每一个存储单元编号，芯片容量提高后，只需将编号向后延续。这个方法仍然允许数据块管理、错误校正（ECC处理）以及平均读写（Wear-leveling）等传统NAND闪存功能，并且一切都在主机端的控制之下，只需配合芯片上的LBA-NAND控制器即可。LBA-NAND完全兼容现有的NAND闪存接口，因此LBA-NAND可以让开发者以最小的成本与时间的代价来升级产品的规格。

东芝认为，便携式消费电子设备对NAND闪存的需求与日俱增，产品的更新换代也以及NAND闪存自身的容量增长速度都越来越快，这需要厂商们具备快速的反应能力，对于最终产品的开发人员来说，每当采用新容量的NAND闪存就要更新产品设计方案，包括闪存的控制器与接口，而LBA-NAND则可以在保持NAND原有的优势的同时，让产品设计人员可以更快的推出规格升级的产品。

LBA-NAND目前提供2GB、4GB、8GB三种容量规格，初期的月产量为100万片。东芝表示，LBA-NAND就是为了大容量NAND设计的，因此目前不支持2GB以下的容量。新产品的工作电压为2.7V至3.6V。