NAND闪存风雨飘摇　海力士提升DRAM产品比重至67%

根据道琼（Dow Jones）报导，南韩内存大厂海力士（Hynix）持续减码NAND型闪存（闪存）产品比重，压宝下半年DRAM市场。海力士正式宣布其大陆12吋厂提前量产DRAM芯片，预计在10月就可量产出货，比原订时程2006年底大幅提前。

据海力士说法，该公司已经提高DRAM产品比重，由2006年第一季的64%，提高为第二季的67%，且下半年可能还会再往上提高。而NAND型闪存则一路从40%、36%降到第二季的33%。海力士发言人Park Hyun表示，由于预期2006年下半NAND型闪存价格不稳，海力士将加码投资DRAM与扩厂，以继续提高DRAM产出。

海力士大陆8吋厂在2006年4月已经正式量产，预料12吋厂10月量产出货后，海力士更具成本与价格优势。对照其对手韩厂三星电子（Samsung Electronics）的营业获利率表现，可看出三星压宝NAND型闪存却面临产品跌价而冲击获利，海力士则因NAND型闪存产品比重较低，受到的影响相对减少。

据悉，海力士虽然在2001年受到全球半导体不景气而负债累累，进而遭到银行团接管，不过，在极力瘦身、出售非内存事业及面板事业之后，将公司资源聚焦内存产品，尤其是刚好赶上2004年全球内存市场成长亮眼的顺风车，连带地也使得海力士提早脱离银行团监管，近来甚至因为产品组合比重优于三星半导体部门，2006年第二季海力士营益率23%更高于三星半导体部门22%。