瑞萨NAND闪存政策转向！牵动国际大厂势力消长

日本瑞萨科技（Renesas）未来在NAND型闪存策略规划出现重大转变！下游客户透露，已收到瑞萨通知，表示未来将暂时不投入资金和人力在8Gb的NAND型闪存生产，也就是不会将制程技术往65奈米世代演进，但1Gb和4Gb的芯片仍会继续供应，包括用2颗4Gb芯片堆栈的8Gb芯片也持续供应。下游客户分析，瑞萨选择在NAND型闪存市场热络之际，暂缓高容量芯片的生产规划，未来在NAND型闪存市场上，各供货商之间的消长态势会更加明显。

日前推动MMC存储卡的MMCA（The MultiMediaCard Association）组织举行改选，除了英特尔（Intel）和金士顿（KinGbston）态度积极，且首度入选理事会员外，过去一向是MMCA主要核心成员的瑞萨，2005年宣布退出MMCA的理事会员，也隐约透露瑞萨对NAND型闪存市场的态度出现转变。

下游客户分析，瑞萨在NAND型闪存市场上，主要是以供应1Gb和4Gb芯片为主，其中4Gb芯片是以90奈米制程生产，而目前出货的8Gb芯片，是用2颗4Gb芯片所堆栈。然而，在未来8Gb的MLC（multi-level-cell）产品蓝图规划上，瑞萨日前已通知客户，表示将暂缓投入资金和人力资源，且闪存部门会进行组织调整。对此台湾瑞萨表示，未被授权发言，不予以置评。

瑞萨会做出此决定，业者分析可能是因为瑞萨2005年上半财报中，税后亏损金额高达20亿日圆，虽然最大亏损项目是微处理器事业，但在NAND型闪存产品在线，由于瑞萨所生产的是AGb-AND型闪存，竞争力与目前三星电子（SamsunGb Electronics）、东芝（Toshiba）等生产的传统型NAND 型闪存相较，仍是处于弱势有关。

瑞萨的AGb-AND型闪存虽然也具有传统NAND型闪存特性，但在产品效能、die的大小上，2者仍有一定差异，且AGb-AND型闪存与其它零组件的配合上，都与传统的NAND型闪存相异，需要特别的支持，因此，客户端在使用上需要花更多时间配合，并不是很方便。

业者分析，瑞萨目前在全球NAND型闪存市占率只有约5％，且在高容量市场，瑞萨供应数量更少，因此，瑞萨目前暂缓8Gb芯片的生产制造，对全球的NAND型闪存市场供需状况，不会造成逆转性的影响。

但值得注意的是，眼看竞争者海力士（Hynix）和美光（Micron）等新进者都马不停蹄的投入NAND型闪存市场，且转往高容量市场发展，供货越来越顺畅之际，瑞萨选择在此时暂缓高容量芯片的生产规划，将会影响全球NAND型闪存供货商之间的势力消长。

目前NAND型闪存供货商龙头宝座仍是三星稳坐，但追赶速度最快的是海力士，早已挤下瑞萨成为全球第三大，而2006年全球市场应该是东芝和海力士2家互争第二名宝座的情况，美光虽然在NAND型闪存市场上态度也很积极，且不断传出与英特尔（Intel）连手的传言，但要在2006年挤进市占率前3大的位置，暂时很不容易。

此外，据了解，瑞萨与力晶（5346）间的代工关系，并不会受到瑞萨暂缓高容量芯片的影响，目前力晶代工的产品为1Gb芯片以0.13微米制程生产，单月产能约5,000～6,000片，目前90奈米制程的4Gb芯片正在试产当中。