瑞萨大举扩充产能　抢攻15%的NAND闪存市场

瑞萨科技(Renesas Technology)日前表示，将把AND闪存技术应用于生产中，以增加该公司在NAND型内存市场的市占率。瑞萨公司储存业务集团执行总经理Masahiro Yamamura表示，「2005会计年度，我们将把产能从2003会计年度的规模扩大六倍，市场占有率提高2.5倍。」

瑞萨公司的AND闪存技术是来自其母公司日立，并将该技术扩充到Assist Gate-AND内存领域，该内存具备10 Mbytes/s的写速度。这与NOR内存速度类似，并且高于NAND型内存。瑞萨估计MLC NAND的写速度为2Mbytes/s~7Mbytes/s之间。

2003年瑞萨公司开始使用0.18微米处理制程，而2004年瑞萨公司推出了使用0.13微米的1Gb容量的内存，并计划到2004年底开始推出采用90奈米制程的4Gb容量的闪存组件。

Yamamura说，「在日立和三菱公司的成立瑞萨公司之后，内存的研发资源得到有效加强。2003年，瑞萨公司位于三星和东芝之后，但是我们计划在2005年时达到超越这些公司的目标。」据称该公司的目标是获取全球市场占有率的15%。

在2003的会计年度，瑞萨投资大约5.37亿美元用于扩充产能。到2004年底，位于Terecenti Technology的300mm晶圆厂将扩张到每月10,000片晶圆。

瑞萨公司没有透露本次会计年度的其它投资细节，只是表示将继续投内存业务。到2007年，瑞萨公司计划扩大三倍产能，并且将65奈米制程用于制造8Gb容量的内存。