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来自日经BP社的消息，作为具备内存管理功能的嵌入式AND型闪存EEPROM“superAND闪存”新产品，日本瑞萨科技日前推出了写入速度约为4MB/秒的“HN29V512A”系列512Mbit产品。由于在芯片端集成了过去由系统端支持的内存不良区段管理、损耗平衡功能（通过平均使用闪存块数据区域，提高闪存耐用性）以及纠错功能等内存管理功能，能够减轻系统设计的负担。主要面向手机和数码相机。
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| 此次制品 |
此次的产品是继目前正在量产的128Mbit和256Mbit产品之后的第三种产品。不仅实现了2倍于256Mbit产品的存储容量，还实现了同等尺寸的95引脚（焊球）CSP封装。支持16位总线宽度的“HN29V512A0A”和支持8位总线宽度的“HN29V512A1A”自2004年5月开始提供样品。
另外，除此次发布的3.3V产品外，还在开发1.8V的低电压产品，定于2004年第3季度提供样品。同时还准备开发1Gbit（128MB）产品。
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