传美光将与英特尔合作打造NAND闪存产线

据路透（Reuters）报导，全球内存大厂美光（Micron）执行长Steve Appleton日前表示将寻求合作伙伴，作为提振营运表现的策略之一，由于近来业界曾传出美光可能与英特尔（Intel）合作的消息，Appleton此话一出，使此合作案实现的可能性又增添几分。

投资机构Prudential Equity Group日前公布报告显示，半导体龙头英特尔和美光可能在未来数周内发布一项合资计划，双方将以美光维吉尼亚州Manassas的厂房为基础，共同投资NAND型闪存产能；分析师预期，美光和英特尔合资打造的产线，可望在2007年初开始投产。

美光指出，除了寻求策略伙伴之外，还将藉由转进利基市场，可望在下一波内存产业整合受惠，Appleton并大胆预言，2年内全球DRAM前5强将有1～2家退出市场，而美光可望藉此从中受惠。

目前全球前5大内存厂商分别为三星电子（Samsung Electronics）、海力士（Hynix）、美光、尔必达（Elpida）、英飞凌（Infineon），未来是否真如Appleton所言会有业者淘汰出局仍是未知数，不过近期曾传出英飞凌有意出脱内存事业的消息，但仍未有最新进展。

Appleton在参与旧金山举行的路透半导体高峰会（Reuters Semiconductor Summit）时，针对合作对象是否为英特尔，并不愿多作评论，仅表示储存装置将会逐渐以闪存取代硬盘，而美光正处在有利的位置上。

拜手机、数字相机和MP3随身听等可携式装置需求强劲所赐，美光近来亦积极切入NAND型闪存，并逐季降低DRAM销售比重，拉高NAND型闪存产能，迅速在6～8月转亏为盈。Appleton预期，随着闪存价格下滑，未来5年内闪存可望取代笔记型计算机（NB）所需的硬盘，届时耗电量亦将大幅减少，电池寿命得以延长。