埃米内存技术悄然登场！

新式DRAM开发静悄悄

随着SRAM、DRAM和闪存有朝一日将没落，所有可与之竞争的内存芯片技术都将面临一场艰巨的战役。目前，处于不同发展阶段的各种其它类型内存正背地里暗自较劲。

例如，Ramtron国际公司的铁电RAM(FRAM)已经进入量产阶段，其它公司的FRAM也已接近商品化水平。除了FRAM，还有许多令人眼花撩乱的竞争技术，其中一些技术仍处于基础研究阶段，但都致力于把设计尺寸缩小到埃米(1埃米等于十分之一纳米)等级。这些技术包括磁阻RAM(MRAM)、相变RAM(PRAM)、纳米线/纳米管设计和分子内存。

然而，无论何种技术，要想获得发展动力可能都得追随Ramtron公司的脚步：在持续进行长期研究的同时寻找一个有发展潜力的市场空间，最后在某一天赶上DRAM和闪存。

“未来的5年内，更新颖或更有发展前途的技术将有机会证明它们的能力，并开始出现在主流市场上。”Denali软件公司分析师Lane Mason说，“今天，FRAM和相变内存技术已经使用在一些领域上，但其应用范围还很窄，尚未进入被硅芯片占据的主流市场。”Denali是一家位于加州的EDA软件和内存架构IP核心供货商。

“上述任何一种技术要取得成功，都必须找到自己的市场。”Mason说，“至于要在10年内用它们替代硅芯片，现在看来这只是一厢情愿的想法。”

嵌入式FRAM结构图

FRAM使用铁晶体管材料(通常是氧化物)，其特点是无需借助外部电场就可以永久切换电偶极子力矩(代表极性分子的极性大小)。因而，这种内存是非挥发性的。大量的铁电材料会自然形成纳米级偶极子。目前，在实验室中已经可以在直径只有几个纳米的量子点(quantum dot)区域中对这些偶极子进行电切换。Celis半导体、Hynix、Macronix、英飞凌、Ramtron、三星、三洋、TI和东芝公司都在进行FRAM研究。理论上，使用量子点作为储存单元的FRAM具有潜力创造出令人难以置信的储存密度。例如，阿肯色州大学教授Huaxiang Fu和Laurent Bellaiche最近发表的模拟结果中提到，透过把5纳米的铁电量子点所产生的小磁漩涡‘拆开’，可以用于表达数据的位。