200MB/s！东芝发布最快速FeRAM

东芝开发成功了读取及写入时的数据传输速度达200MB/s的64Mbit强介电体内存（FeRAM，铁电随机存储器），并在2006年2月6日于美国旧金山开幕的“ISSCC 2006（2006年国际固体电路会议）”上发表。为了实现200MB/s的传输速度，导入了高速数据传输方式的突发模式（Burst Model）。工作时的周期时间为60ns。

东芝打算今后以此次确立的技术为基础继续对FeRAM进行研发，以实现面向高性能便携设备及电脑等多个领域的实用化。

此次通过采用130nm工艺CMOS技术生产等措施实现了高集成化。实际上，内存单元面积为0.71911μm²，与东芝等在ISSCC 2006上发表的、传输速度为200MB/s的16Mbit MRAM的1.872μm²相比，大约只有其38％。

为了实现这一高集成化，除采用130nm工艺半导体技术外，还导入了可有效削减内存单元面积的链型构造，以及旨在提高可靠性的新型电路技术等。具体来说，开发了两大类电路技术。

此次东芝开发了新的FeRAM电路

第一类技术方面，为了减少读取时的噪音影响并减小电路面积，在布线构成上下了一番功夫。此前的FeRAM存在的问题是：随着生产技术的不断微细化，内存单元的控制电压逐渐变小，因而容易受到噪音的影响，同时布线间的间隔也越来越窄，导致来自邻接布线的干扰噪音增大。因此，此次采用了通过切换两根布线来交替工作的布线构成。从布线排列来看，由于总是隔着一根布进行两根布线的交替工作，因此有望利用夹在中间的固定布线来获得屏蔽布线间干扰噪音的效果，从而实现稳定工作。

第二类技术方面，为纠错而配备了高速ECC（错误检查和纠正）电路。同时还导入了同步进行写入及纠正的控制方法。一般来说，整体写入时间在追加纠错时会大约延长30％，而此次通过上述措施则将延长时间控制在了15％的水平上。

东芝在ISSCC 2006上公开了数据传输速度均为200MB/s的64Mbit FeRAM和16Mbit MRAM。如果将两者做一比较，从集成度来看，如前所述，FeRAM高出一筹。而从低电压化来看，MRAM则更出色。16Mbit MRAM的电源电压为+1.8V，而64Mbit FeRAM的电源电压却为+3.3V或+2.5V。另外，正因为内存容量不同，所以此次试制的64Mbit FeRAM的工作周期时间为60ns，大约是16Mbit MRAM（34ns）的1.8倍。