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磁性随机存取内存(MRAM)技术结构剖析

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在新一代内存技术开发竞赛中,飞思卡尔半导体(Freescale,原摩托罗拉半导体分部,后分拆独立)已实现了磁性随机存取内存(MRAM)的商业化。该公司在今年中发布了8年来的研究成果:4MB MR2A16A组件;其MRAM内存技术使用磁矩来保存位状态,符合商业应用需求。由于...

作者:飞思卡尔半导体公司 Tom Lee 2006年10月31日

关键字: MRAM

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MRAM迈向商业应用

在新一代内存技术开发竞赛中,飞思卡尔半导体(Freescale,原摩托罗拉半导体分部,后分拆独立)已实现了磁性随机存取内存(MRAM)的商业化。该公司在今年中发布了8年来的研究成果:4MB MR2A16A组件;其MRAM内存技术使用磁矩来保存位状态,符合商业应用需求。由于MR2A16A拥有多种独特功能,预计将在新兴内存应用市场中创造更大商机。

MR2A16A采用256K x 16位配置。它是一种异步设计,使用标准的芯片启动、写入启用和输出启用的接脚,实现了系统的灵活性,防止总线冲突。独立的字节支持接脚实现了灵活的数据总线控制,能以8位或16位为单位读取和写入数据。

MR2A16A的引脚定义

本质上来看,MRAM是一种非挥发性内存技术,在不需要电源的情况下,能将内存内容保留至少10年时间。而MR2A16A具有无限制写入能力。研究显示,即使在最恶劣的执行条件下,MR2A16A位单元也能承受58兆次读写周期。迄今为止,MR2A16A位单元从未出现耐久力方面的故障,而位循环研究仍在持续进行。

MR2A16A采用0.18μm制程,以及专用的MRAM制程来建构位单元。利用这两种技术,总共可形成5个互连层。该芯片使用3.3V电源。它具有对称的35奈秒的高速读取和写入存取时间,并实现了完全静态执行。首款MRAM组件采用44接脚的TSOP-II封装,符合RoHS标准。它配备了业界标准的中心电源和接地SRAM输出接脚,能应用于各种采用相同SRAM配置的现有硬件中。

MR2A16A的内部架构图

MR2A16A主要瞄准商用应用领域,在这些应用中,用户必须在系统崩溃时保存数据。当系统遇到电源故障时,有一些关键的数据参数必须在所有电源断开之前快速保存。保存在MR2A16A上的资料参数还可在事后检索,以诊断或排除导致系统故障的问题。对于这类‘黑盒’应用来说,MR2A16A相当适用,因为它能在断电时以SRAM速度写入数据,同时还能在没有任何电源的情况下保留数据。

MRAM还非常适合于那些需要‘恢复播放’功能的娱乐应用。在断电时,指示已播放媒体的时间戳记的书签被快速保存在非挥发性MRAM内存上。在重新接通电源时,它几乎可以瞬时执行恢复播放功能。

媒体恢复播放应用

MRAM同时可实现安全系统的加密管理功能。加密参数可以在系统关闭时快速保存和保留。同样,游戏机也需要在电源断开时快速保存数据参数,以保持数据完整性。

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