埃米内存技术悄然登场！

从实验室到生产线

“我们已经在进行量产，每季出货量也达到了数百万片，但我们所针对的主要是那些需要闪存无法提供的特殊性能应用。”Ramtron公司副总裁Mike Alwais说，“这些新技术所面临的制造挑战被低估了，它其实是比看起来要困难得多。”

为了生存，Ramtron公司找到了一个小型市场以使其研发努力能够维持下去。目前，该公司提供的大部份产品直接替代SRAM被应用于安装有后备电池的数据撷取设备。Ramtron公司的最新芯片是一款1Mb的FRAM，它能够以插件方式替代类似尺寸的SRAM。该组件的设计尺寸已经缩小到0.13微米节点，年内将推出样片，此外，90纳米组件的设计工作已经完成，而65纳米组件也在规划之中。

该公司对FRAM的长期成功寄予了很高的希望，甚至超过闪存。“由于它不需要使用非常薄的氧化物或高电压，我们的客户相信FRAM在先进的节点(65纳米或更小)上能够比闪存更容易缩小尺寸，”Alwais说。

TI公司已经从Ramtron公司获得FRAM技术的授权，以便降低非挥发性嵌入式内存的成本。例如，在被嵌入一颗芯片时，FRAM只要求额外增加两个光罩层，而嵌入式闪存可能需要多达9个光罩层。目前，Ramtron公司选择富士通公司作为其代工厂，但TI也很快将利用Ramtron的FRAM技术进行生产。这两家合作伙伴正使用0.13微米设计规则开发一款独立的4Mb FRAM，TI将把它作为其DSP的核心，而Ramtron将把它作为一种独立芯片来销售。按照该公司计划，其样片将在今年底上市。

“嵌入式FRAM在需要低功率非挥发性内存的场合具有重要意义，”TI公司负责FRAM的项目经理Ted Moise说，“它能够以一种更直接的方式嵌入于芯片中，而且具有比其它任何替代品更好的性能。”

TI公司指出，嵌入式闪存的问题在于驱动18V可程序脉冲(用于写入和擦除位单元)所必需的开销电路。

“闪存的储存单元尺寸非常小，但除非你需要嵌入海量存储器，否则嵌入式闪存没有多大意义，”Moise说，“这是因为你需要可以与闪存相配的辅助电路来处理高电压。如果你的嵌入式芯片(如微控制器)仅需要几兆位的内存，那么考虑到辅助电路的开销，使用闪存就没有多大意义。”

TI公司希望在今年底开始试产4Mb的独立FRAM芯片，但在2006年底或2007年以前，该公司并不打算把FRAM加入到其任何一款嵌入式芯片中。