英飞凌完成业界首颗Fully Buffered DIMMs测试芯片

英飞凌科技（Infineon）为下一代使用DDR2的动态随机存取内存（DRAM）服务器模组，成功测试业界首颗先进内存缓冲器（AMB）测试芯片。这种AMB是FB－DIMMs的核心，而FB－DIMM则将会是服务器内存的新标准。

由于高速DRAM技术从DDR2到DDR3持续的引介、及服务器所存储与处理的资料持续的增加，形成技术方面的挑战，需要新颖的服务器内存架构。FB－DIMM信道架构在内存控制器与信道上的第一个芯片间、及信道上的后续的芯片间，引进点对点的连结。如此，总线负载就独立在DRAM I／O速度外，因此能以高速DRAM来促成内存的高容量。这种位在每个FB-DIMM上的AMB芯片收集与分配在DIMM上的DRAM间往返的数据、在芯片的内部进行数据缓冲、然后接收数据或是把数据转送到下一个DIMM或是内存控制器。因此，这种缓冲芯片对于FB－DIMM内存架构的开发是具有关键性的。

这种新式完全缓冲化技术的规格，经过联合电子设备工程协会（JEDEC）的标准化，提供增加DIMM的速度与服务器平台上内存的容量。FB－DIMM也为DDR2 升级到DDR3 DRAM 世代提供顺利的过渡。

英飞凌的AMB测试芯片首度把关键性的高速输入／输出阶段与其它的高速功能一起执行，例如是英飞凌本身的逻辑制程（logic process）技术中的数据插入（Data－Insertion）与数据转送（Data－Forwarding）线路。这种FB-DIMM标准预见六倍的数据多任务及更高的速度来减少内存信道的实体宽度，而且把传输延迟（Throughput Latency）降到最低。JEDEC的标准界定DDR2 800每支4.8 Gb／s 输入／输出针所需的最高数据传输率。英飞凌的AMB测试芯片的速度已达6.0 Gb／s，因此提供足够的系统空间（System Margin），且确保最低的bit－error率。

有关FB-DIMM的详细介绍，请见本站相关专题——《未来的企业级内存解决方案——FB-DIMM》。