【IDF 2005-北京】FB-DIMM、DDR2、DDR3发展蓝图

Intel未来处理平台的内存技术

在本届IDF上，Intel与Hynix（海力士）公司专门就FB-DIMM与DDR未来发展蓝图进行了介绍。由于Intel与Hynix在各自领域里的地位，我们可以从中了解这两种内存技术在未来的方向。

Intel公布的至2007年的Intel平台内存技术路线图

从Intel公布的路线图中，我们可以看出，PC133将从2006年开始不再出现于Intel主流平台（不仅仅是PC，还包括其他领域，如移动处理、通信等等），而RDRAM仍然会在通信与嵌入式平台中继续应用。2005年的DDR2的主力将是DDR2-667，而DDR 333400也将Intel平台内存技术的一大主力，DDR-266将逐渐退出市场。2006年年初FB-DIMM将正式进入市场，DDR2-800也会出现。2006年下半年，DDR3　800/1066将崭露头角，而在DDR3基础上开发的第二代FB-DIMM（FB-DIMM2）也将于2007年现身。

Intel展示的FB-DIMM运行平台，但只插了一条FB-DIMM（图中黄圈所示）

需要指出的是，对于DDR2-800，Intel表示目前还有一些问题，由于频率的提高，有些设计要进行一些调整，不能延用DDR2 667的设计，所以相关规范要推迟一段时间至2006年。由此可见，目前一些超频厂商所推出的DDR2 800并没有相关标准支持。

Hynix所给出的FB-DIMM发展路线图

而在Hynix看来，FB-DIMM在2006年第一季度进入市场，速度为DDR-533/677，似乎没有采用DDR2-800的迹象，而采用DDR3的第二代FB-DIMM将在2007年登陆市场。Hynix非常看好FB-DIMM的前景，预计从2006年第二季度开始FB-DIMM的市场将迅速扩大，而RDRAM将迅速的从相关市场退出，在会后，笔者也询问过Hynix的相关人士，他们表示已经不看好Rambus在主流市场的前景，因此已经放弃对Rambus的支持，包括其最新的XDR技术。

不过，FB-DIMM的初期可能会受到成本的困扰，这主要来自于全新的高级内存缓冲器（AMB）芯片，对此Intel的演讲人员拒绝透露AMB芯片目前的成本。而对于笔者所提出来的FB-DIMM只有在更大容量的情况下才会体现出性能优势的问题，Intel演讲人员表示，在低端服务器（内存装机容量小于2GB）市场，他们的确是并不推荐FB-DIMM，因此DDR2 Registered-DIMM仍将有用武之地。