【IDF 2005-北京】FB-DIMM、DDR2、DDR3发展蓝图

遥看DDR3内存

至于DDR3，Hynix并没有像三星和英飞凌那样有确切的样品公布计划，但初步定在2006年下半年，而从DDR3的设计来看，主要的特点就是数据传输率更高，从800Mbps至1.6Gbps，工作电压更低（从DDR2的1.8V降为1.5V，预示着更为省电）、内存芯片的容量更大，将达到单颗芯片1GB的水平，不过图中的内存延迟的表达似乎有误，不应该以ns为单位，而应该是时钟周期。

Hynix给出的DDR3规格设计

需要指出的是，DDR3速率提高的方法与DDR2相对于DDR的改进一样，即增加了预取位数，DDR为2bit、DDR2为4bit，到了DDR3则为8bit（与早前的RDRAM的设计一样），也就是说DDR3 800的时钟频率与DDR2是一样的，带宽也相同，只不过它采用了与XDR一样的点对点设计，以应对频率提高的需要，这一点就与现有DDR/DDR2所采用的总线型设计有了很大不同，也必将会使主板芯片组的内存控制设计产生巨大的变化。

有意思的是，在PC相关平台上放弃RDRAM的Intel，在FB-DIMM身上重新抬起串行的招牌，那么，Intel有没有可能在台式机平台上引入串行内存技术呢？就此笔者也询问了Intel的相关人士，答案是：2007年之前不会！