IDF2012见闻之DDR4与PCIe SSD

两支PCIe SSD生力军

英特尔也许不会在SSD市场上占据多大的份额，但其示范和推动作用绝对不可小视，这也是业界非常关注英特尔何时推出PCIe接口SSD的原因之一。去年就流传着英特尔将推出型号为720的PCIe SSD的消息，2011秋季IDF上还展出了样品，但终归没能在年内面世。

4月12日，也就是本届IDF的第二天中午，英特尔将正式发布型号为910的首款PCIe SSD，而细心的观众今天已经能在英特尔的展台看到910。这证实了我们的猜测——910就是之前传说中的“720”。考虑到之前的710为SATA接口，为PCIe SSD开一个新的系列也是更为合理的行为。这一点亦可从其他观众的反应中得到证实：我向展台人员求证此910是否就是之前所谓的720，旁边几位观众都说“720？不可能，肯定是SATA接口的啊，英特尔之前没出过PCIe的SSD……”

英特尔的展示系统用4个910（左侧红色椭圆框中）实现了100万的IOPS，右侧是静态展示的910 PCIe SSD

4个910贡献100万IOPS，合每个25万IOPS，但经过查证，是采用512字节块大小随机访问的结果……4KB随机读的指标为18万IOPS，与去年演示的“720”一样。4KB随机写的指标是7.5万IOPS

可以看到910用3个PCB堆叠而成

从这个角度看，上面两个PCB的结构应该是一样的，而下面的PCB隐约可见4个裸露的芯片和1个散热片覆盖的稍大的芯片，很像是一个RAID控制器拖4个闪存控制器（SATA接口？）的结构……可惜没有随身带螺丝刀（肯定也不让拆哈），只有到发布会上去探索了

PCIe SSD市场上另一个不容小觑的后起之秀当属国内的华为。华为拥有国内IT厂商中首屈一指的研发实力，包括旗下的海思半导体，推出PCIe SSD已有一段时间，我们也得以在华为的展台上把玩一番。

华为展出的PCIe SSD采用两个PCB堆叠的方式，从上面可以看到2个Xilinx（赛林斯）的SPARTAN-6 FPGA充当闪存控制器的角色，这相当于2个SSD模块，加上下面PCB上对应位置是同样的结构，可以说是4个SSD模块，黑色散热片下的芯片应该是RAID控制器（4个模块组成RAID 5？）。华为自主开发的固件集成闪存转换层（FTL），据称可以提高CPU效率，针对Fusion-io之意不难想见

华为PCIe SSD背面的图片。经过前面的介绍，可以看出华为与英特尔的PCIe SSD虽外形不同，但设计上颇有相同之处，而在性能指标上，华为PCIe SSD的4KB随机读IOPS达25万，随机写IOPS也有17万IOPS，均高于Intel的910

侧视图可以看到上下两个PCB的相同之处