VMAX融合闪存与SAS EMC走上双层存储之路

NetApp的CEO Tom Georgens是对的，你只需要两个存储阵列层，EMC正在朝着这个方面发展——VMAX将融合闪存和SAS磁盘。

VMAX在2009年推出，当时正是技术革新的成熟时机。而现在VMAX有望加载SAS硬盘，EMC企业级存储事业部总裁Brian Gallager对此表示：“此事一定能实现，我能担保，但这不是标准规格，而关乎于FAST。” FAST是EMC用于分层阵列的自动数据迁移技术。闪存也将在VMAX中发挥重要的作用，其目标是具有SAS接口的二级阵列，这将是一个容量更大的SAS数据系统，而非SATA系统。Gallagher还表示，NetApp将跟随EMC的发展脚步。

重复数据删除

Gallagher预计在中期内，VMAX仍需要三层存储，但最终将只剩下两层。一些体积大容量大的SAS盘将通过降速节约能源，用于保存访问频率低的旧数据。这种降速盘上的数据将被重复数据删除，或许是由Data Domain实现，或者由Avamar实现；Gallagher并未指明。不管怎样，EMC都会给用户提供一项选择：Avamar通常用于内部和原始数据的重复数据删除；Data Domain用于后期处理的重复数据删除。

对于一次写入多次读取（WORM）硬盘，而Gallagher表示：“短期内不会出现。”

基准测试

我们将看到EMC提供的VMAX SPC基准测试结果。Gallagher认为，SPC-1标杆作为一种测试手段是很好的，但不能反应真实的VMAX，以及其他高端阵列部署，及快照、复制等等。

Gallagher称：“EMC最近将再度参与SPC测试，我们将进行VMAX SPC基准测试。”这说明EMC已经了解由IBM六节点/双DS8700阵列系统创下的380800或SPC-1 IOPS记录，以及最近TMS RamSan-630系统的领先成绩400000 SPC-1 IOPS。据推测，EMC会进入SPC-1测试的最高阶段，其成绩有望超过500000 IOPS。

EMC将与其他厂商一起促进SPC基准发展，以实现更好的反应真实的、高端阵列部署，或许我们可以将其称为SPC-3。

而关于SAS背板的可能性，Gallagher表示：“我们认为背板已经属于过去时。”今天，FC（FCAL和FCESW）和SATA线路即将出现在磁盘阵列外部设备（DAE）中，而明天，可以说SAS线路将出现在DAE中，或者SAS会用于整个引擎，亦或是使用InfiniBand。Gallager并未透露会采用哪一种，因为EMC还没做好决定。

Gallagher表示，VMAX刚刚增加了FCoE支持。Gallagher预计，高端客户可能会选择将其存储网络与以太网通信分离开，但中端客户将继续进行网络融合。EMC现在还不会只推FCoE，而是继续满足客户之需。Gallagher可能认为FCoE是未来的发展方向，只是过渡还需要时间。

VMAX的未来在于闪存和SAS。驱动器数量必然会降低，因为闪存要替代大部分硬盘驱动器，而该存储系统的容量将会增加。最后，让我们一同期待集成了闪存和SAS的VMAX的到来吧！