Hitachi Maxell展示50TB高密度LTO级磁带

Hitachi Maxell展示了一款50TB容量、采用垂直磁记录（Perpendicular Magnetic Recording）的LTO级磁带，是目前LTO路线图中最高容量磁带——12.8TB LTO-8——原始容量的400%。

几年前硬盘驱动器就已经开始采用垂直磁记录技术，目前预计这项技术的局限性将造成未来数年中向字位模式介质或者热辅助磁记录等技术的过渡。

此次，Hitachi Maxell和东京工业大学联合展示了这款磁带。Hitachi Maxell表示，他们采用了东京工业大学的“相面对靶溅镀”技术将直径不足10纳米的磁介质均匀溅镀到磁带的基膜上，形成一层很薄的致密磁介质膜。

就我们所知，这个溅镀过程是在“无底层冷却系统的室内温度下进行的。使用之前的磁控溅镀方法是无法形成这一层复合薄膜的，但是可以通过相面对靶溅镀形成。”

这种磁带是低噪音的，覆盖了软磁铁底层。然后将磁介质均匀溅镀在基膜上，形成一个线性垂直磁记录介质、一个超高密度的纳米级磁性薄膜，存储密度45Gb/in2。将这个密度应用到一个LTO-5磁带的话，其容量将超过50TB。而这一容量也是LTO-5磁带1.4TB原始容量的33倍。

记录层、保护层和底层的总厚度大约为100纳米。

“相面对靶溅镀”技术是由东京科技大学屋里电子学系副教授Shigeki Nakagawa开发的。

这意味着，在理论上，使用目前物理大小的LTO磁带和磁带盒作为LTO路线图的方向已经很明确了。未来某个时候也许会从涂层介质转向垂直记录介质，到那时，后端兼容性（LTO技术的一个特性）将受到考验，因为驱动器磁头将要通过后端兼容性读取这两种类型介质。