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再攀新高 IBM公布有史以来存储密度最高的磁带产品

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凭借着由索尼方面提供的磁带介质技术,IBM公司正式公布创下存储密度纪录的第五代磁带产品,原始存储容量高达330TB。

作者:刘新萍 来源:至顶网存储频道 【编译】 2017年8月3日

关键字:存储介质 存储容量 磁带 IBM

凭借着由索尼方面提供的磁带介质技术,IBM公司正式公布创下存储密度纪录的第五代磁带产品,原始存储容量高达330TB。

早在2015年4月,IBM与富士通公司亦利用Nanocubic技术配合钡铁氧化物磁带介质开发出一款220 TB磁带,其存储容量高达每平方英寸1230亿bit。

再攀新高 IBM公布有史以来存储密度最高的磁带产品IBM公司创下的各项磁带存储密度纪录

这一次,IBM公司磁带驱动器研究人员继续与索尼存储介质解决方案及其薄膜介质团队开展合作。此次开发出的成果得以将存储密度进一步提升至每平方英寸201 Gb。

其技术包括:

• 面向数据通道且基于噪声预测检测原理的新型信号处理算法,可采用超窄48纳米隧道磁阻(简称TMR)读取器实现每英寸81万8千bit线性密度条件下的可靠运行效果。

• 一整套组合式先进舵机控制技术,能够将准度控制在7纳米甚至更高精度水平。

• 采用48纳米宽TMR磁盘驱动器读取磁头,由此实现的每英寸磁轨密度高达24万6200条,较TS1155磁带驱动器增加了13倍。

• 新型低摩擦磁带磁头技术,可采用极为光滑的胶带介质。

磁带中的薄膜材料通常利用非反应性氩离子能量粒子轰击靶材料,导致原子与靶源分离并沉积在基底之上。整个过程在真空容器内进行,而目标源喷射出的原子需要附着在基底等之上以重新实现热力学平衡。

再攀新高 IBM公布有史以来存储密度最高的磁带产品IBM-索尼薄膜磁带介质

具体来讲,本次发布的磁带方案利用同样的喷射沉积机制在IBM的磁带基底之上建立起纳米级磁性层。

IBM公司研究员Evangelos Eleftheriou在一份声明中解释称,"与目前使用钡铁氧化物(BaFe)的商用磁带相比,我们利用喷射工艺制造的薄膜胶带预计需要更高成本,但其拥有极高的容量潜力,意味着将带来更为低廉的每TB使用成本,非常适合用于云环境中的冷门数据存储场景。"

蓝色巨人认为,这款产品的出现使得磁带技术路线图的可行性将再延续十年。因此在未来八到九年内,LTO Ultrium容量路线图基本可以认定将迈向LTO-12,而容量则将超过190 TB。由此来看,磁带的生命力仍然相当旺盛。

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综合评分:8.91 分
云能力:9 分
营业额:1045亿美元[2012]
云服务:IBM Systems Director VMControl

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