Intel正式发布34nm新工艺固态硬盘 降价60％

Intel正式发布了全球首批基于34nm MLC NAND闪存新工艺的固态硬盘。从50nm进化到34nm，从技术角度上是更小的核心面积和更高级的工程设计，对消费者来说则是更低的价格：新旧产品之间的差价幅度最高超过60％。

首批34nm固态硬盘只有2.5寸主流系列X25-M，容量仍保持在80GB和160GB，但改用了新的控制器和固件，性能因此大有提升，比如读取延迟从85微秒缩短到65微秒，写入延迟从115微秒缩短到85微秒，4KB随机读取IOPS 35000、写入6600(80GB)/8600(160GB)，抗冲击力也从1000G/0.5s提高到1500G/0.5s，不过持续读写速度仍为250MB/s和70MB/s。

至于功耗，可能会让大家失望了。34nm X25-M的负载功耗保持150mW不变，但因为新控制器的缘故，待机功耗从60mW增加到了75mW，不过新控制器对环保也不是没有贡献，至少已经消除了原来使用的卤素，或许能因此得到苹果的采纳了。

34nm X25-M 80/160GB产品编号SSDSA2MH080G2/SSDSA2MH160G2，建议零售价225/440美元，比起一年前发布的50nm版本的595/945美元分别降低了62％和53％。廉价固态硬盘时代也许就在不远的前方。

新工艺版1.8寸规格X18-M系列将在本季度晚些时候出货，但320GB大容量版本何时发布尚不清楚，另外企业级X25-E何时升级新工艺也不得而知。

Intel还计划在未来发布新版固件，支持Windows 7 Trim优化命令，并提供终端用户工具，用于优化固态硬盘在Windows XP/Vista之下的性能。

相较于50nm版本性能提升

主要性能规格

两代固态硬盘参数对比

部分固态硬盘产品价格容量比