DRAM合约价半年来首见反弹 未来形势乐观

根据集邦科技（DRAMeXchange）所公布的报价，1月下旬全球DRAM合约价在止稳后，终于见到正式上扬的情况，而此次调涨幅度约大约落在5%左右水平，而这也是全球DRAM合约价经过长达半年走跌后，首度上涨，而就2008年供需态势来看，未来几个季度全球DRAM合约价将有机会逐步垫高。

全球DRAM合约价近半年多以来持续处于走跌状态，尤其是在2007年第四季度全球DRAM合约价更是一路狂跌，最主要原因在于全球DRAM厂商与OEM计算机大厂大多错估2007年微软Vista所带来的市场需求，因此在OEM计算机大厂苏醒过来后，展开一连串的杀价动作，使得DRAM大厂2007年第四季度亏损持续扩大，部分台系DRAM厂商甚至加入百亿新台币赔钱俱乐部，或至少50亿俱乐部。

不过这种情况到2008年1月上半月似乎见到反转的讯号，全球DRAM合约价于1月上半出现持平，到了1月下半月更是近半年来首见的上涨。这对DRAM厂商是极大的鼓舞，目前看来这股合约价上涨力道将有机会持续下去，因为DRAM大厂资本支出减少后的效应已逐步呈现。

南亚科白培霖表示，现阶段的现货价之所以反弹确实与农历春节的补货需求有关，至于DRAM合约价上涨幅度没有像DRAM现货价那样快速。不过就目前DRAM合约价调涨状态来看，未来合约价有望逐步调高，农历春节过后，合约价依然会继续调涨，但要强调的是涨幅不会太大。

但一旦进入2008年下半后，合约价调涨幅度将有望迅速加快，最主要原因是下半年起，全球DRAM供给量会更加吃紧，到时调涨合约价速度以及幅度均将较现阶段要更大。

DRAM厂表示，目前看来全球DRAM现货价调涨时间领先合约价一周，512Mb DDR2的eTT重新站回1美元大关，至于1Gb的eTT颗粒同样回到2美元水平；且近一周来512Mb DDR2的eTT涨幅更高达2成左右，品牌颗粒的涨幅也在10~15%，这些讯号都有助于未来合约价持续调涨。