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四大应用推动 NAND闪存今年位增长率将超过130%

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NAND闪存市场逐渐出现了止血的态势,2008年1月上旬的合约价跌幅已开始趋缓,主流8Gb容量的MLC芯片跌幅缩小至7.5%,16Gb芯片跌幅也缩小至7%,惟产量较少的SLC芯片在需求高峰过后,合约价则重挫10~20%

作者:存储时代 hyy(整理) 2008年1月10日

关键字: 固态盘 闪存 N-Gage

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NAND闪存市场逐渐出现了止血的态势,2008年1月上旬的合约价跌幅已开始趋缓,主流8Gb容量的MLC芯片跌幅缩小至7.5%,16Gb芯片跌幅也缩小至7%,惟产量较少的SLC芯片在需求高峰过后,合约价则重挫10~20%;整体而言,根据集邦科技(DRAMeXchange)和英鼎科技(InSpectrum)的最新预测,2008年NAND闪存全球位增长率约在130%附近,整个产业的增长态势仍然相当强劲。

NAND闪存产业在2007年11月底开始提前崩盘,现货价和合约价双双重挫,价格几乎近于腰斩,除了面临传统淡季来临和大客户苹果(Apple)订单锐减50%的影响外,第四季度50纳米制程大量开出,也是导致供给端大量增加的因素之一;然在度过价格重挫期后,2008年1月上旬的NAND闪存合约价,已经开始有止血的趋势。

根据集邦针对2008年1月上旬最新合约价指出,8Gb的MLC芯片跌幅缩小至7.5%,平均价格约3.34美元,16Gb芯片跌幅也约7%,平均价格约6.24美元,而4Gb芯片则是跌幅较重,约20%左右;在英鼎科技的报价部分,8Gb的MLC芯片跌幅约3~7.5%,16Gb芯片跌幅也在6%之内。

虽然MLC芯片报价跌幅止血,在SLC部分,之前由于产量有限,因此报价一度水涨船高,在需求高峰逐渐过后,1月上旬SLC合约价则是大幅回调,4Gb、8Gb和16Gb合约价的跌幅都达10~20%;惟目前SLC产能占整体NAND闪存市场产能只有约10%,MLC芯片则占90%。

以2008年全球NAND闪存市场来看,集邦科技预估,位增长率约130~140%之间,由于12吋晶圆厂产能不断开出,加上大多转往50纳米制程,预估2008年全球NAND闪存的50纳米比重可提升至60%;而根据英鼎科技预估,2008年的NAND闪存位增长率也约130%,显示2008年仍是NAND闪存厂商积极扩产的一年。

在NAND闪存应用产品方面,集邦科技最新统计指出,以手机、MP3/PMP、数码相机、U盘这4种应用端来看,2008年出货量都持续攀升。

其中,2008年手机的出货量将增长约10%,预计可达12.33亿台,其中具存储卡插槽的比重可达50%;而数字相机出货量年增长率可达14%,2008年预估量为1.3亿台;在U盘市场方面,2008年增长率约25%,预计可达1.7亿个;而在MP3/PMP播放器上,2008年的出货量年增长率有望达到20%,约接近2亿台左右,其中采用NAND闪存为接口的比重可达85%。

整体而言,集邦指出,2008年的NAND闪存市场主要还是以苹果的影响最大,然而低价计算机和固态盘(SSD)的市场也逐渐兴起,若是这两种新应用的规模都扩大,价格可比过去持稳许多。

2008年NAND闪存产业四大应用领域增长预测
四大应用推动 NAND闪存今年位增长率将超过130%

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