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集邦科技(DRAMeXchange)表示,随着NAND闪存供货商5X nm制程产品供应量提高后,下游客户采购 芯片开始转向以8Gb和16Gb MLC为主流,导致4G MLC芯片跌幅较大,约为11%,集邦预期,由于9月以来NAND闪存价格的连续下跌幅度已大,NAND闪存合约价在年终假期销售旺季前的需求支持下,短期内可望呈现平稳的走势。
11月上旬NAND闪存合约价格大致跌幅约为0-5%,比前两个月跌幅明显缩小,主要是因为下游客户在10月已陆续进行降低库存的动作,加上市场预期11月中旬要开始准备年底旺季的备货需求,根据观察,NAND闪存价格走势在11月初已经出现止跌回稳的现象。
而过去数月,下游存储卡业者生产1GB microSD时,一直面临原料不足的窘境,主要是因为上游供货商的5X纳米8Gb晶圆产出有限;随着供货商制程良率的不断改善,集邦预估今年底前缺货问题将可逐渐获得 缓解。
原本下游存储卡业者生产1GB microSD是用两颗6X纳米的4Gb芯片堆栈封装,但随着上游供货商的制程能力提升,业者可以只用一颗5X纳米的8Gb芯片进行封装,对于生产1GB microSD上有相对的成本优势存在;随着供货商5X纳米8Gb良率问题已逐渐解决, 存储卡业者将较能满足手机用户在旺季对1GB microSD的强劲需求,使其在旺季的业绩也将因此而受惠提升。
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