NAND闪存多值技术纷纷亮相 低成本竞争仍继续

以NAND型为代表的用于数据保存的闪存成本竞争仍未停止。在即将召开的“ISSCC 2006”会议上，在1个存储单元中保存多位数据，以及利用多值技术提高集成度的数据保存用闪存将会相继发表。

以色列Saifun半导体和台湾宏旺电子公司（Macronix International）将在ISSCC会议上联合发表首例采用4位/单元多值技术的闪存（论文序号：7.1）。该产品基于在存储单元的不同物理位置保存位数据的多位化技术“NROM”。试制芯片的存储容量为1Gbit。为了高速而准确地控制存储单元的阈值电压，开发出了二级写入算法。

东芝和美国SanDisk公司组成的联合开发小组，将发表芯片面积仅为99mm2的8Gbit多值NAND型闪存（论文序号：7.7）。采用56nm工艺半导体技术。每位的存储单元面积为0.0075μm2。通过将页面大小提高到8KB等措施，将写入时的数据传输速度提高到了最大10MB/秒。

此外，意法半导体（STMicroelectronics）和韩国海力士半导体公司将公布可高速读取的4Gbit多值NAND型闪存。读取时的数据传输速度为36MB/秒。通过强化ECC功能，缩短了读取延迟。结合运用了90nm工艺半导体技术和2bit/单元的多值技术（论文序号：7.6）。