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作者:Zxm(整理) 2005年10月25日
关键字: FB-DIMM
稍早之前,一场FB-DIMM内存模组插拔测试大会悄悄在台湾登场,这次大会并未对外公开,而是由主办厂商英特尔(Intel)邀请内存模组、系统厂、量测工具供货商等业者进行技术交流与互通性测试,主要目的是为了推动英特尔为服务器平台规划的全新内存规格-FB-DIMM (Fully Buffered DIMM,全缓冲模组技术)。
随着新一代服务器系统对内存频宽的需求不断增加,传统采用并行总线的内存架构已无法满足需求,走向串行技术已是必然趋势,而FB-DIMM就是针对新一代服务器系统所设计的内存接口架构。
FB-DIMM是英特尔继RDRAM之后第二次押注的新兴内存架构,鉴于上一次的失败经验,这次的FB-DIMM采用的是现有的DDR2内存颗粒,主要的技术差异在于它采用了一颗AMB (Advanced Memory Buffer,先进内存缓冲器)芯片将数据由并行转换为高速串行方式传输给CPU,与现有内存架构相比,每信道内存容量高出4倍,内存频宽则增加了33%。
IDT是目前少数几家已开发出FB-DIMM架构关键零件─AMB芯片的厂商之一,该公司时序解决方案部门营销总监Tom Kao指出:“英特尔绝不会重蹈RDRAM的覆彻,因为这次它将与该公司全新的服务器平台结合。”
“FB-DIMM的优势在于,它采用了原本的DDR2内存颗粒,在设计上的改动不多,甚至可以说更简单。而且,未来的英特尔双核心服务器平台也将全面支持FB-DIMM内存架构,从各个角度来看,FB-DIMM成为主流服务器内存架构已是指日可待的事,”Kao解释道。
英特尔将自2006年第一季起全面支持FB-DIMM
的确,与DDR2 Registered DIMM相比,现有的DDR通道约需240pin,而FB-DIMM则需69pin,这意味着在板级设计可大量减少走线。
Kao表示,传统并行储存器架构在绕线时必须考虑到讯号须同时到达的问题,因此它在每条走线的设计上都必须达到同样长度,这使其设计显得极为复杂,且讯号容易受干扰;但采用串行传输的FB-DIMM由于先对信道上的DRAM数据接脚予以缓冲,并运用点对点连接消除了不必要的缓冲,因此没有复杂的绕线问题,相较之下,FB-DIMM可减少约1~2层的电路板,而且设计更简单。
尽管这次的FB-DIMM测试大会并未对外公开,但据了解,除了台湾主要的服务器、内存模组业者外,包括惠普(HP)在内的厂商也参与了此次活动。Kao很乐观的表示,最快在今年第四季,采用FB-DIMM架构的服务器就会问世,而从明年起的2~3年内,将是FB-DIMM逐步在中高阶服务器市场取代传统Registered DIMM的关键时期。
规格未定 挑战测试厂商
显然,对英特尔而言,FB-DIMM是一场只许成功不许失败的战争。从首次在台湾举办的测试大会中,已经能嗅出英特尔为推动FB-DIMM采取的紧锣密鼓行动的气氛了。事实上,除了IDT,包括英特尔本身、NEC、英飞凌等公司都已推出或宣布推出AMB芯片,而多家内存模组厂也已开始测试,看来整个产业已准备就绪。然而,从平行转向高速串行传输过程,也为测试带来全新挑战。
尽管受邀参与此次测试大会的Tektronix本身即是JEDEC组织的会员之一,直接参与FB-DIMM的规格标准制定;然而,Tektronix仪器事业群的产品营销经理U.N. Vasudev却明白指出,“由于未定案的FB-DIMM规格版本一变再变,使得测试软件与仪器如何能兼容于未来的规格标准,成为目前测试仪器开发厂商所面临的最大挑战。”
Vasudev指出,“虽然目前的FB-DIMM测试速度只须4.8GHz,但在第五个谐波(harmonic)的测试上则必须要达到12GHz以上,一般测试方案的示波器速度目前最快却只有12GHz;加上测试条文中也规定采样率必须高达兆位以上,才足以具备足够的内存空间。因此,更高采样率与高速度的示波器是未来的发展方向。”
此外,针对目前一再改写的规格标准,业界的许多厂商也质疑测试仪器在未来的支持能力;Vasudev便强调:“可针对不同的测试应用自动执行兼容性测试的软件已成为关键之一,唯有选择具备更高性能的弹性化测试软件方案,未来才不致因规格变化而必须不断更改其测试硬件,造成更大的成本支出。”
因此,针对符合未来高速串行数据的测试,Tektronix在现场提供了频率达12.5GHz的探棒、最高取样率可达40GS/s、最高速度可达15GHz的实时示波器、抖动与时序分析仪,以及RT-Eye 2.0串行数据一致性测试,以及具备高度兼容性的分析软件等测试解决方案,使客户即使完全不懂FB-DIMM与其规格,也均可透过该软件自动更新完成不同的测试应用。
带来的改变
“FB-DIMM将改变当前IT人员采购内存的思维,”IDT的Kao指出,过去,IT管理人员在升级内存时,即使只需512MB的内存,但受限于内存插槽数量,通常会选择可能是2年后才会需要的内存容量,如1或2GB。“然而,内存的容量与价格成长并非呈正比,通常内存容量成长一倍,价格大约会提高近三倍,对许多IT管理人员来说,这是十分难以抉择的,”Kao表示。
而在采用FB-DIMM架构后,由于插槽增加了,IT人员可以选择一次扩充容量较小的内存。长期来看,Kao认为,大容量内存的发展趋势会因FB-DIMM的问世而稍微缓和,而小容量内存的出货量则会上升。
对整个服务器内存架构来说,FB-DIMM是从平行走向串行的一大改革;但对FB-DIMM技术而言,目前仅跨出了第一步。据了解,英特尔正在DDR3的基础上开发第二版FB-DIMM2,依照其内存开发蓝图,2007年下半年起,将在多核心与双核心服务器平台上推动新一代FB-DIMM2架构。
从FB-DIMM的技术原理看来,它确实能为内存效能带来更多好处,但业界人士同样担心成本因素将会限制其发展─目前导致FB-DIMM高成本的主因是昂贵的AMB芯片。对此IDT的Kao表示,初期来讲,这的确是个问题,因此FB-DIMM锁定的是多核心与双核心等高阶服务器平台。这表示Registered DIMM仍将在低阶市场持续被采用。
不过,Tektronix的Vasudev对此倒较为乐观,他表示,除了高阶服务器以外,未来需要极大内存频宽与速度的游戏市场也有可能导入FB-DIMM技术。
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