扫一扫
分享文章到微信
扫一扫
关注官方公众号
至顶头条
作者:存储时代——赵效民 2005年8月8日
关键字:
在本页阅读全文(共10页)
DDR3:JEDEC的最新武器
讲完XDR2,我们再来看看Rambus的老对手JEDEC组织有何新的动向。虽然早在2002年6月28日,JEDEC就宣布开始开发DDR3内存标准,但3年过去了,DDR2才刚开始普及,DDR3标准更是连影也没见到。不过在今年,有两个厂商并不安分,可能是希望以此来表明自己的实力,纷纷宣布成功开发出了DDR3内存芯片,它们就是三星与英飞凌,从中我们仿佛能感觉到DDR3临近的脚步。而从已经有芯片可以生产出来这一点来看,DDR3的标准设计工作也已经接近尾声。
DDR3内存预计于2006年切入市场,半导体市场调查机构iSuppli预测DDR3内存将会在2008年替代DDR2成为市场上的主流产品,iSuppli认为在那个时候DDR3的市场份额将达到55%
DDR3的市场导入时间预计为2006年下半,最高数据传输速度标准较达到1600Mbps。不过,就具体的设计来看,DDR3与DDR2的基础架构并没有本质的不同。从某种角度讲,DDR3是为了解决DDR2发展所面临的限制而催生的产物。
由于DDR2的数据传输频率发展到800MHz时,其内核工作频率已经达到200MHz,因此再向上提升较为困难,这就需要采用新的技术来保证速度的可持续发展性。另一方面,也是由于速度提高的缘故,内存的地址/命令与控制总线需要有全新的拓朴结构,而且业界也要求内存要具有更低的能耗,所以,DDR3要满足的需求就是:
更高的外部数据传输率
更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构
在保证性能的同时将能耗进一步降低
为了满足上述要求,DDR3在DDR2的基础上采用了以下新型设计:
8bit预取设计,DDR2为4bit预取,这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8,DDR3-800的核心工作频率只有100MHz
采用点对点的拓朴架构,减轻地址/命令与控制总线的负担
采用100nm以下的生产工艺,将工作电压从1.8V降至1.5V,增加异步重置(Reset)与ZQ校准功能。
下面我们通过DDR3与DDR2的对比,来更好的了解这一未来的DDR SDRAM家族的最新成员。
如果您非常迫切的想了解IT领域最新产品与技术信息,那么订阅至顶网技术邮件将是您的最佳途径之一。