恩怨的延续——XDR2与DDR3

XDR2的其他特点

除了最引人关注的MT架构设计之外，为了保证XDR2系统的稳定运行并且更有效率，XDR2它还继承了XDR的优点并加入了新的辅助设计：

• 自适应同步（Adaptive Timing），在速度不断提升的今天，XDR的FlexPhase（弹性相位）同步电路将进行补偿处理，实时应对电压与温度变化所产生的影响。

FlexPhase的本意是使内存生产者不再费力的去调校PCB的布线设计以减少延迟/潜伏期对数据同步的影响。弹性相位技术使信号本身就具备了数据/时钟同步与自校准能力，从而使外围有关时序跟踪的设计与布线变得非常简单，并有助于提高同步性，提高总线利用率。在XDR系统中，弹性相位控制这一功能由XIO完成，调校单位为bit，精度可达2.5ps（Pico Second，微微秒）。

采用FlexPhase技术之后，内存芯片与控制器之间的走线设计将更为容易

• 信号传送均衡（Transmit Equalization），这一技术将来自内存系统的电路反射与衰减影响降到最小程度，以稳定达到所需要的速度。

• DRSL发信技术(DRSL Signaling)，使用200mV的差分信号发送技术，以提供较高的信噪比，另外XDR2还使用芯片内终结与点对点传输技术，结合相关的PCB与芯片装配技术，以最大限度减少信号反射并减少传输周期。

• 动态位宽（Dynamic data width），与XDR内存一样，XDR2可以动态调整接口的位宽，可以有2bit、4bit、8bit等选择，这样就助于提高系统的设计灵活性，而且位宽改变后，访问颗粒度也将会改变，2bit、4bit、8bit时的列访问颗粒度分别为2字节、4字节和8字节。带宽也降至2GB/s、4GB/s和8GB/s。

• 零刷新占用（Zero Overhead Refresh），传统的DRAM在刷新时，是对所有逻辑Bank的相同地址行进行刷新，如果正好赶上某一行处于工作状态，或要想访问某一行时，就与刷新操作产生的冲突。而XDR2内部独特的逻辑Bank设计，可以通过交错控制刷新，避免了刷新操作影响正常寻址的情况发生，实现了零刷新系统占用。