夏普：RRAM将成为下一代核心内存

作为下一代非挥发性内存而备受关注的RRAM（电阻RAM）“将会成为下一代核心内存”。夏普社长町田胜彦在日本电子信息技术产业协会1月6月于东京举办的新年联欢会上做出了上述表示。RRAM具有这样的优势：作为工作内存，其速度可与SRAM匹敌；作为存储内存，能够实现与NAND型闪存相抗衡的成本。

夏普曾因在2002年“IEDM（国际电子元器件会议）”上发表RRAM论文而受到业界关注，但此后却始终没有什么动作，只是做过一次学术发表。该公司在内存业务方面，正在利用其擅长的SiP技术对NOR型和NAND型闪存和DRAM等多种内存进行超薄封装。但除NOR型内存之外均从外部采购。因此，与所有品种的内存几乎均可在内部采购的韩国三星电子相比，可以说在供货与成本方面均处于劣势。如能尽快推出新的内存技术，就有可能打破这种局面。

但是，三星在2004年12月举办的“IEDM”会议上已经就使用不同材料的RRAM进行了技术发表。作为夏普来说，尽管町田社长一直认为“RRAM技术仍为时尚早”，但众多业内人士则认为三星的RRAM“有可能出人意料地很快投产”（出席三星技术演讲的众多研究人员）。其依据，一是因为三星“使用的是在现有半导体生产中采用的普通材料”（在IEDM会议上出席三星技术演讲的众多研究人员），二是与三星已经完成64Mbit产品开发的“PRAM（OUM）结构类似”（读过该论文的研究人员）。对于人们最初完全不了解其工作机理的记忆元件的CER效应，作为诺贝尔奖候选人之一的东京大学教授十仓好纪所领导的日本产业技术综合研究所的一个研究小组，目前正在加紧研究。研究成果将在《日经微器件》杂志主办的“日本第3届半导体内存研讨会”上予以公布（详情见http://techon.nikkeibp.co.jp/seminar/）。闪存和DRAM内存领域应用的内存技术恐怕早晚都将迎来一个重要的转折点。