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MagnaChip与Tezzaron合推可编程3D RAM芯片

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MagnaChip与Tezzaron合推可编程3D RAM芯片

作者:Zxm(整理) 2004年11月25日

关键字: 3D RAM

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MagnaChip Semiconductor与Tezzaron Semiconductor两家公司宣布双方达成合作伙伴关系,此举可望孕育出双方所称的全球最快最真实的3D芯片,Tezzaron预计还将发布该公司所声称的全球首款可编程3D RAM芯片,该组件将由Tezzaron营销及销售,据测试结果显示,其频率速率超过500MHz,延迟小于2纳秒。

上述组件采用Tezzaron的3D晶圆堆栈技术,这款RAM组件将与未来的3D芯片一起,由MagnaChip公司的代工厂制造。MagnaChip公司研发资深副总裁Jeong-Gun Lee介绍,此3D RAM目前采用标准0.18微米代工制程制造。MagnaChip是Hynix Semiconductor公司前非储存芯片部门,该部门最近被卖给了由Citigroup Venture Capital Equity Partners LP及CVC Asia Pacific投资成立的新公司。

最初,MagnaChip将在代工基础上为Tezzaron建构采用RAM的缓存器文文件。Tezzaron公司技术长Robert Patti表示:“这款组件相对简单,但我们相信这将引领我们迈入半导体的新纪元。”Tezzaron计划开发并销售一系列3D“定制组件”,Patti表示。

3D芯片据称在手机、手持装置及其它产品应用中速度、密度及低功率需求方面表现出色。其它公司也在加紧开发并提供3D芯片。MagnaChip暗示说,“我们主要的兴趣在于开发针对3D IC的制程技术。我们还有兴趣制造3D感应器。”

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