Spansion：制程转型成功　将全力生产浮置闸极闪存

全球第一大NOR型闪存（Flash）供货商Spansion日前宣布，该公司位于美国德州奥斯汀8英寸晶圆厂Fab 25制程转型迅速，在不到2年内，由逻辑芯片转向内存芯片制程，且该厂导入0.11微米制程过程中，其良率开出与新制程学习曲线所需时间，在数月间已然完成，创下业界纪录，目前Fab 25火力全开，生产0.11微米制程浮置闸极（floating gate）闪存。

Spansion全球科技发展暨制造执行副总裁Jim Doran指出，就产品良率开出与先进制程科技使用而言，Fab 25可说是全球闪存产业的模范，自2003年超微（AMD）与富士通（Fujutsu）旗下闪存事业合并以来，德州奥斯汀晶圆厂Fab 25在不到2年内，达到由逻辑芯片制程转型至内存芯片制程的里程碑，与世界级内存大厂良率开出看齐。

Doran表示，Fab 25制程迅速转型成功的关键之一，可归功于超微独有之APM（Automated Precision Manufacturing）科技，该专利科技不仅缩短良率开出时间，亦同时降低制造成本，APM首先在Fab 25导入，计划随后将延伸至超微位于德国德勒斯登的8英寸厂Fab 30以及最新12英寸厂Fab 36。