NAND闪存将引领企业固态存储的蓬勃发展

PCMS,STT-MRAM和RRAM

大部分参与到这项游戏中的半导体生产商正在探索多项技术，包括PCM,MRAM和RRAM.不过除非这项替代品可以达到NAND这一水平的成本，否则该技术就无法在企业级存储上成为NAND真正的竞争对手，无论其技术有多领先。

“价格最接近的技术价格可能也是NAND的5倍以上，”美光技术公司NAND解决方案事业本部的市场总监Kevin Kilbuck在评论研究可替代技术的公司时提到。

同时，美光致力于多个领域，其中包括PCM（通过其在2010年收购恒忆半导体）以及自旋注入式磁化反转型MRAM（STT-MRAM）。Kilbuck说某些技术可能会作为NAND闪存的补充。

“这些技术各有优势，”Kilbuck说，“很难讲哪一项会胜出。”

Troy Winslow是英特尔公司非易失性内存解决方案事业本部的产品市场部总监，他通过电子邮件表示英特尔认为堆栈式PCM的变体，称为变相存储开关，为PCM单元层分配一个双向阈值开关，可以在企业级系统中发挥较MRAM更大的潜力。

英特尔和恒忆半导体在2009年宣布其证实了一块64Mb的测试芯片可以在一块晶体盘中堆栈成多层的PCM阵列层，这为存储更大容量，更高性能和扩展性，以及更低能耗的实现进行了铺垫。

不过，Winslow补充道，“NAND仍将企业级解决方案中保持长久的生命力。及时在几年内出现某种新技术，技术迁移也会花费数年。”

在2011年7月，海力士半导体公司和东芝公司发布了一则联合通告，关于其共同开发STT-MRAM的协议，两家公司认为这项技术因为其在速度，容 量和功耗方面的优势，非常适合于智能电话。东芝拒绝提供更多的评论，不过其他公司则认为STT-MRAM最终也会在企业级系统中得以应用。

之后的一个月，三星电子有限公司宣布其对Grandis公司的收购，这表示三星公司也开始致力于STT-MRAM.三星将Grandis并入研发运营团队，不过STT-MRAM只是该公司投资的多项取代NAND技术中的一种。

“三星，这个全球最大的NAND供应商，在尝试晚所有方式之前是不会轻易让NAND被淘汰的，”科罗拉多州Silverton咨询公司的创始人和总裁Ray Lucchesi说，“NAND背后有太多的公司和利益，这项技术并不会轻易逝去。”

即便在长期角度上看，Forward Insight的Wong也并不认为MRAM或堆栈式变体PCM的价格可以和NAND那样。他说供应商目前都在希望用PCM和MRAM来补充或替换部分的 DRAM,从本质上作为一种非易失性RAM,可以在掉电的情况下保持数据，而不像DRAM那样。他说这项技术在对于随机写操作敏感的工作负荷环境下极其有 用，这种工作环境要求高I/O,比如数据库和财务应用。

不过，根据Wong的说法，RRAM比PCM或MRAM更有可能取代NAND。他说所有主要内存厂商都致力于RRAM,其工作原理在于电气两级变化电阻。HP公司有另一项名称，记忆电阻器。

“从理论上讲，RRAM是影响可扩展的技术，”Wong说，“不过对于任何一项要取代NAND的技术都必需可以进行堆栈，这在根本上是项挑战。