英特尔美光联合公布20nm工艺技术

NAND闪存芯片的开发又迈出了最新的一步。在开始出货25nm ClearNAND闪存芯片的4个月之后，英特尔与美光的合资企业IMFT（IM Flash Technologies）近日推出了用于制造更小体积固态硬盘的20nm制程技术。

新的20nm工艺将用于生产8GB、MLC NAND闪存设备，面积仅为118平方毫米，但提供了高容量和小体积存储设备。

美光表示，相比现有的25nm 8GB NAND闪存，这个体积更小的芯片使得主板缩小30%～40%（取决于封装类型）。

由此产生的芯片将被设备和系统制造商用于新兴市场，例如针对手持设备的嵌入式应用，企业级服务器、平板电脑、MP3播放器、数码相机和摄像机等。

NAND闪存市场持续着芯片缩小的趋势。美光已经将模片大小从三年前的72nm缩小至如今的20nm。它的竞争对手包括三星、西数、SanDisk、东芝和希捷等。

美光、英特尔和东芝均表示，最终所有纳米技术都将面临瓶颈，NAND闪存工艺将在5年内达到极限。