科技行者

行者学院 转型私董会 科技行者专题报道 网红大战科技行者

知识库

知识库 安全导航

至顶网存储频道台积电40nm工艺良率再度降低至40%

台积电40nm工艺良率再度降低至40%

  • 扫一扫
    分享文章到微信

  • 扫一扫
    关注官方公众号
    至顶头条

台积电CEO张忠谋在7月底的时候就表示40nm良率已达60%,然而近日又有消息传出台积电在40nm工艺上再遇障碍,良率下降至40%。这一消息也得到了台积电主席张忠谋的证实,不过他表示本季度就可解决该问题

作者:张以军 来源:驱动之家 2009年10月30日

关键字: 晶圆 台积电

  • 评论
  • 分享微博
  • 分享邮件

台积电CEO张忠谋在7月底的时候就表示40nm良率已达60%,然而近日又有消息传出台积电在40nm工艺上再遇障碍,良率下降至40%。这一消息也得到了台积电主席张忠谋的证实,不过他表示本季度就可解决该问题。

根据张忠谋的介绍,台积电此次遇到的是设备腔体接合(chamber matching)问题。AMD此前已经发布了采用40nm工艺的Radeon 5870显卡,而NVIDIA则计划在12月发布基于该工艺的GT300显卡核心,台积电40nm良率的再度降低有可能会影响到两大客户的产品销售计划。

根据台积电刚刚发布的第三季度财报,45/40nm工艺的晶圆收入占到了总收入的4%,四倍于第二季度,台积电还打算到年底时将此数字提高到10%。

此外鉴于40nm、65nm工艺晶圆需求的增加,台积电首席财务官Lora Ho表示,他们已经将本年度的财政预算提高至27亿美元。

台积电40nm工艺良率再度降低至40%

    • 评论
    • 分享微博
    • 分享邮件
    邮件订阅

    如果您非常迫切的想了解IT领域最新产品与技术信息,那么订阅至顶网技术邮件将是您的最佳途径之一。

    重磅专题
    往期文章
    最新文章