东芝：1Gb容量MRAM即将完成

去年八月，我们曾经报道了IBM与TDK公司合作开发MRAM（Magnetoresistive RAM 磁性随机存储器）存储的消息，并且小容量的MRAM已经应用在了某些设备之上。日前东芝公司表示，他们对MRAM的研究将要结出果实，即将生产出邮票大小的1Gb容量MRAM芯片，并计划在以后的几年中逐步取代目前广泛使用的DRAM。

MRAM拥有非易失性，存储单元体积小，功耗低，据称其耗电量仅为DRAM的十分之一，读写寿命无限等等的优势。其速度远高于闪存，业界普遍认为MRAM有可能在将来用作PC内存，实现即时开机进入操作系统。

东芝的研究人员表示他们利用一项和IBM相似的技术spin-RAM解决了MRAM热量波动的问题，利用电流控制MRAM的磁极方向。