600Gb/平方英寸!山形富士通硬盘晶格介质记录技术

日前，山形富士通与富士通研究所、神奈川科学技术学院重点研究室的益田研究小组（组长：首都大学东京教授 益田秀树）共同宣布成功开发出了用于硬盘的晶格介质，在旋转的硬盘上利用硬盘磁头实现了记录播放，以下是该技术的一些细节。

此次开发的介质以100nm间隔、有规则地配置了微小磁性体。换算成面记录密度，相当于600Gbit/平方英寸。通过记录播放的波形确认，每个磁性体可记录1bit信息。

根据此次开发的技术形成的有规则的孔（a）表面、（b）横截面及（c）填充磁性材料（钴）后的电子显微镜照片

晶格介质是一种可将硬盘记录密度提高至1Tbit/平方英寸的候选技术。此前，山形富士通等发布了以25nm间隔配置微小磁性体、相当于1Tbit/平方英寸的技术。不过，包括山形富士通等的成果在内，此前发布的技术大部分与晶格介质的配置方法有关。但组合介质与磁头、并且以与普通硬盘相同的旋转速度来进行记录播放的技术还没有先例。

晶格介质记录后，利用磁头进行播放时的波形

此次，山形富士通等组合使用2.5英寸盘片（形成有微小磁性体的晶格）与现有硬盘磁头、利用自旋支架(Spin Stand)进行了记录播放。播放磁头的磁轨宽度为100nm，盘片旋转速度与现有2.5英寸硬盘相同。这样，得到了显示每个磁性材料交替记录反转磁化的播放波形。比特误码率等未测定。

晶格介质的制作采用了纳米压印光刻（nano-imprint lithography）方法。该方法与以25nm间隔形成磁性体的方法不同。此次首先在铝盘片上涂布光阻剂，然后在光阻剂上压印形成微小孔的图案。接着用蚀刻方法在盘片上形成几nm深的微孔。然后，对铝进行阳极氧化，微孔的深度由此达到了几百nm。最后在孔中填入钴。此次并不是在整个盘片上而只是在18mm左右的圆形区域内，形成了微小磁性体的图案。

山形富士通等计划在2007年9月举办的“第13届日本应用磁学会学术演讲会”上公布实验的概要。