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至顶网存储频道内忧外患知天命:2006年硬盘技术综述

内忧外患知天命:2006年硬盘技术综述

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2006年我们庆祝了硬盘驱动器的50周岁生日,但整个行业面临的威胁也不可忽视。来自闪存的挑战要求硬盘驱动器充分发掘自身的潜力,因此向垂直记录技术的过渡格外引人关注。毕竟50年的辉煌已成过去,未来还能不能再有一个50年——哪怕只是25年?硬盘驱动器能否打...

作者:存储时代——张广彬 2006年12月18日

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缓存:找闪存做帮手?

加大缓存容量是提高硬盘性能的另一种方法,不过多年的主角SDRAM也有受到闪存压制的危险。

SDRAM在硬盘中扮演Cache(高速缓存)的角色,其用量通常随着接口带宽、硬盘内部传输能力及容量的提高而增长,不过三者的影响力依次减弱。较高的接口带宽需要更大容量的缓存,硬盘容量上升到一定阶段也要在Cache上有所反映,但硬盘的内部传输能力往往成为瓶颈。

目前1.8英寸和2.5英寸硬盘配备的缓存容量均为8MB。东芝早期的5400RPM硬盘具有容量高达16MB的缓存,不过体现在性能上与其他厂商后来采用的8MB相差不大。现在日立和希捷的7200RPM产品都延续了8MB缓存,东芝放弃16MB也就在情理之中了。不过,将于2007年上半年供货的希捷Momentus 7200.2为160GB的顶级容量配置了16MB缓存,而计划同期推出的日立200GB的7200RPM硬盘则尚未透露缓存状况。

会有多少产品跟进16MB缓存还很难说,因为混装闪存硬盘的出现可能会限制SDRAM容量的增长。由于具有非易失性,闪存的容量可以不受硬盘内部传输能力的限制。不过,引入闪存也使硬盘PCB上的芯片增加了一枚,2.5英寸硬盘的PCB还可以容纳,1.8英寸硬盘就比较悬了——当然,这并非是否混装闪存的决定性因素。

在闪存到来之前,2.5英寸硬盘的PCB上通常有三枚芯片——SDRAM、马达控制器(主轴马达和VCM)以及将读通道、接口控制器与硬盘控制器集成在一起的SoC(system-on-a-chip,片上系统),整合度已经相当高了。如果SoC再把SDRAM也集成进来,加上闪存还是三枚芯片。不过,从WinHEC 2006上三星展示的ReadyDrive样品来看,SDRAM芯片仍然是独立的,四枚芯片在PCB上并不显得拥挤。

三星展示的ReadyDrive样品在PCB上集成2Gb(256MB)OneNAND闪存芯片

尽管Agere(杰尔)和ST(意法半导体)等硬盘驱动器IC供应商都已有了集成SDRAM的SoC方案,但硬盘厂商并不急于转向这样的设计。如果希捷的Momentus 5400 PSD采用了集成SDRAM的SoC,也不用大惊小怪,因为该公司从Barracuda 7200.9就开始实践了……

希捷内部曾经有人认为,集成SDRAM可以将硬盘的整体效能提升25%,不过到目前为止,没有任何用户端的测试结果能够支撑上述观点。Barracuda 7200.9和7200.10都有集成与不集成SDRAM的两个版本,PCB的形状和尺寸没有区别,集成的主要好处是降低了采购成本,提高了产品良率(于未来还可以简化走线设计)。采用集成缓存SoC设计的硬盘的PCB上找不到SDRAM芯片,显得更加简洁——但不要被日立迷惑,目前的Deskstar只是将SDRAM芯片放在PCB的另一面而已。

Barracuda 7200.10的SoC集成了16MB缓存

谈到桌面产品,2004年推出的MaXLine Ⅲ是第一款配备16MB缓存的3.5英寸SATA硬盘,而接口速度仍为1.5Gb/s,一度让人猜测3.0Gb/s的产品有采用32MB缓存的可能。现在3.0Gb/s已经成为主流,16MB也随之扩散到各家厂商的顶级产品中,却并未被超越,倒是增加了8MB的中端配置,以填补与低端的2MB之间巨大的空白。8MB缓存现在已成为2006年出品的硬盘的主流配置,而2MB缓存在新产品中只有少数低端产品才配备,市售产品中配备2MB缓存的多数是以前推出的老型号。

我们知道,加大缓存容量对随机访问没有什么帮助,纵然SATA引入了NCQ(本机命令排队)功能,在目前的IA架构和操作系统环境下,有4MB缓存也足矣。大容量缓存的作用主要体现在持续传输时的预读和延迟写入,以及更好地利用高带宽的接口。3.0Gb/s配32MB缓存并不算过分,但3.5英寸SATA硬盘的内部传输能力还不够强——除非10000RPM的Raptor挑战一下,否则16MB缓存很可能在2007年延续其统治地位。

当然,(7200RPM)3.5英寸SATA硬盘的内部传输能力强不强,也要看跟谁比。至少,现在的NAND型闪存还不是对手,如果混装(Hybrid)在一起的话反而会降低3.5英寸SATA硬盘的性能,再说台式机又不靠电池供电。不过,闪存的可怕之处在于其速度提高较快,三五年以后出现配备数GB闪存的3.5英寸硬盘的可能性不是没有。

SDRAM为第一线,闪存居第二线,硬盘(磁头/盘片)退到第三线,这种三级存储架构的确有望在硬盘驱动器内部成为现实,不过对2007年来说还是遥远了些。

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