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茂德:DDR2内存TSOP封装

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茂德:DDR2内存TSOP封装

作者:Zxm(编译/整理) 2005年10月13日

关键字: 茂德 ProMOS DDR2

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最近一段时间,DDR2内存市场仍然不见有多大的起色,为此不少内存厂商都开始设法来打开销路,其中如何降低生产成本就是很多厂商所关心的话题,而中国台湾的茂德(ProMOS)则另辟蹊径,将TSOP(Thin Small Outline Package,小外型薄型封装)封装引入到DDR2芯片的生产中,以期能降低生产成本。目前,ProMOS已经开始生产这种新的DDR2内存芯片。

在JEDEC的官方标准中,DDR2芯片只能采用BGA(Ball Grid Array,球形引脚格状阵列)封装,因此TSOP可算是ProMOS的个人发挥。

TSOP与BGA的主要区别就在于连接至芯片内核底板的方法和材料。TSOP使用的是较短电线来制成引脚与内部的底板相连,而BGA则是将电线改为了芯片底部焊接的球形引脚,可与内核底板以更短的距离连接,减少干扰与寄生阻抗。

不过,业界分析人士相信,ProMOS的这款TSOP封装的DDR内存将会刺激DDR2现货市场的增长。

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