全球DRAM厂纷加快90纳米制程脚步

DRAM晶圆厂为提升整体制造成本竞争优势，无不卯足全力迈向90纳米制程，目前全球DRAM大厂三星（Samsung）、海力士（Hynix）等旗下90纳米制程均已达大量投产阶段，台湾DRAM厂除日前宣布进入试投产的华亚科技，茂德（ProMOS）13日亦宣布，旗下位于中部科学园区12英寸厂首批采用90纳米制程投片晶圆良率已逾60％，全球DRAM厂90纳米制程脚步明显加快。

茂德表示，目前中科12英寸厂90纳米制程状况相当良好，已成为台DRAM厂首家采用90纳米且为堆栈式（Stack）制程技术投产的业者，第一批12英寸晶圆产出良率已超过60％，主要试产512Mb DDR产品，且已成功通过测试。

茂德发言人林育中表示，目前第一批采用90纳米制程的12英寸晶圆，虽是以DDR颗粒投产，但这对于所有DRAM厂而言是必须的，毕竟DRAM厂会以其最熟悉的DRAM产品试投，但就目前情况来看，茂德将会在最短时间内，将其投产产品转为DDRII，因为茂德现在要将90纳米制程良率拉高到80％，不会是件困难的事。

一旦良率拉高至相当水平，茂德便会开始转投DDRII。茂德表示，能够如此顺利将90纳米制程良率拉高到80％，主要原因在于海力士先前已替茂德开好90纳米制程的康庄大道，因此，不需要再像过去转进0.35微米制程时，由于进度超前其合作伙伴，一切事情都需要靠自己解决，现在有海力士加持，可快速提高90纳米制程良率。

随着茂德90纳米制程良率持续稳定拉高，对于其合作伙伴海力士便会有相当程度帮助，原因在于海力士现阶段已将产能转进NAND型Flash芯片组，其DRAM产能便需由其忠实合作伙伴茂德替其完成。

茂德12英寸晶圆三厂自2004年4月8日动工兴建，依既定时程规划，于短短不到14个月完成芯片产出，并达成可观良率，目前将致力于完成12英寸晶圆三厂的制程及产品验证通过，预计2006年第一季（Q1）将达到月产1.5万片的量产计划，并于2006年Q4达每月3万片的量产规模。