全球DDR产出首见衰退　DDRⅡ主流态势明显

根据集邦科技（DRAMeXchange）11日公布的最新数据显示，4月全球DRAM厂总产出达5.16亿颗左右（以256Mb芯片计算），仅较3月略微成长1.3％。各大DRAM厂加紧赶工生产DDRII，进度远高于市场预期，4月DDR产出便首度因此出现负成长，而DDRII成长幅度却一举超过10％，DRAM厂加速使DDRII成为主流的态势已相当明显。

DRAMeXchange数据显示，4月全球DRAM厂总产出高达5.16亿颗，仅较3月的5.09亿颗略成长1.3％，而之所以仅微幅成长，主因是DRAM厂自2月起陆续将产能转移至非DDR产品，例如NAND型Flash、DDRII及CMOS影像传感器（CMOS Sensor）等产品，因而出现产能排挤效应。

厂商表示，DRAM厂之所以进行转换产能，主要是预估未来DDR芯片报价下跌机会远高于上涨，若继续做DDR芯片，届时成本下降速度将跟不上DDR芯片报价下杀速度，厂商恐将亏损累累。而3月DRAM厂因进入结帐时期，许多厂商不顾一切将DRAM芯片报价杀低，当时唯有尽早转换产能至非DDR产品，才有机会保住获利。

此外，DDRII的成长也是造成此次DRAM厂4月产出成长幅度趋缓的另一主因。由于厂商预估未来DDRII领导DRAM市场的态势将相当明显，而上半年不见得能顺利将产能转换至DDRII，一旦市场对于DDRII需求暴增，届时恐将面临无货可交的状况。

为了不让这样的情况出现，DRAM厂自第一季（Q1）起开始拉高DDRII产出，而4月厂商便因产能转换至NAND型Flash及DDRII，DRAM产出成长幅度因而降低不少。

根据统计数据，4月全球DRAM厂DDR产出量仅达3.37亿颗，较3月的3.45亿颗减少，至于DDRII则由3月的1.06亿颗增加至1.21亿颗， 4月DDRII产出达到14％的惊人成长幅度，但DDR总产出量非但未见成长，反而微幅下滑2.6％，这也是多数DRAM厂始料未及的。