尔必达利用纠错电路将DRAM待机电流降至1/60

日本尔必达内存（ELPIDA）开发成功了一种可将DRAM内存待机电流降至原产品约1/60的“SSR（Super Self Refresh）”技术。目前已经投产采用该技术的256Mbit DDR方式SDRAM内存“EDD2516KCTA”。这种内存的待机电流在DDR方式SDRAM内存中为业界最小。

尔必达内存此次通过大幅延长刷新间隔，降低了待机电流。现有的DRAM内存，假如单纯延长刷新时隔，电容器的电荷就会消失，从而就会无法正确读取数据。尔必达此次发现，延长刷新间隔后数据消失的部分仅限于电荷保持特性较差的极少一部分内存单元。于是，该公司通过在DRAM中集成纠错电路，就能修复延长刷新间隔时产生的消失数据。

此次投产的EDD2516KCTA，其速度规格符合DDR400。也就是说，每个引脚的数据传输速度最大为400Mbit/秒。主要面向车载导航仪、PDA和闪存EEPROM部件等领域。自刷新电流（IDD6）非常低，在25℃的温度条件下为40μA，70℃条件下150μA，85℃条件下为250μA。该公司原产品（DDR内存）方面，在0℃～70℃范围内自刷新电流高达3mA。EDD2516KCTA采用110nm CMOS工艺生产。目前已经开始供应样品，2003年3月开始量产供货。该公司目前还提供采用基于MCP规格的256Mbit芯片的512Mbit内存产品。