DDR4内存标准关键属性大公开：电压仅1.2V

JEDEC固态技术协会今天公布了DDR4内存标准中的部分关键属性，并宣布将在2012年年中正式发布新一代内存标准规范，相比于DDR3取得重大性能提升，同时继续降低功耗。

JEDEC固态技术协会宣称，DDR4将具备一系列创新特性，可带来更快的运行速度和广泛的实用性，包括服务器、笔记本、台式机、消费电子产品等等，其频率、电压和架构也都在进行重新定义，目标是简化新标准的迁移和部署。

提议中的路线图显示，DDR4内存的VDDQ电压将设定在仅仅1.2V，并在未来进一步降低VDD电压，此外还会保证I/O电压的稳定。相比之下，DDR3标准版电压为1.5V，低压版也有1.35V。

DDR4内存每个针脚的数据传输率将达到1.6Gbps，最高会冲击3.2Gbps。考虑到DDR3就有望冲破1.6GT/s的极限，DDR4在未来应该还会具备更高的性能水准。其它提议中的性能改进还包括：DQ总线伪开漏接口(pesudo open drain interface)、2667MHz及更高数据率的低速档模式(geardown mode)、bank分组架构(bank group)、内部生成VreDQ电压、训练模式(training mode)改进。

DDR4架构上采用了8n预取的bank分组，包括使用两个或者四个可选择的bank分组，这将使得DDR4内存的每个bank分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作，从而改进内存的整体效率和带宽，尤其是在使用较小的内存粒度(memory granularity)的时候。

在此之前，三星和海力士已经分别造出了试验性的DDR4内存条。预计DDR4内存将于2014年投入商用，2015年即迅速普及。