尔必达第一家为内存引入高K金属栅极技术

日本尔必达今天宣布，将在40nm级别DRAM内存制造工艺上首次引入高K金属栅极(HKMG)技术，用于开发2Gb DDR2 Mobile DRAM(LPDDR2)移动内存颗粒。

HKMG这一技术最早出现在Intel 45nm工艺上，台积电、GlobalFoundries等也都正在纷纷将其应用在自己的产品线上。它在晶体管栅极上使用了高介电常数的绝缘膜，用以降低漏电率、提升晶体管性能，同时还需要是金属栅极电极作为配合。

HKMG技术正在处理器制造上广泛普及，但是因为高K金属栅极形成后热处理温度太高，而且DRAM内存的结构特性更加复杂，一直无法将其导入DRAM制造工艺。

经过努力，尔必达最终成功降低了热处理温度，并克服了DRAM结构的复杂性难题。相比于传统的二氧化硅电介质，HKMG技术能够在新的DDR2 Mobile RAM颗粒中将晶体管内栅极电介质的电气厚度减少大约30％，同时将晶体管开启时的电流增加最多1.7倍，关闭时候的电流降低至目前的百分之一，从而大大提升性能，并明显减少待机状态时的功耗。

尔必达计划在自己主营的Mobile DRAM移动内存颗粒产品线中全面应用HKMG技术，并继续评估和改进HKMG技术，争取今后用在30nm、25nm工艺上。

尔必达的40nm+HKMG Mobile DRAM内存颗粒将于今年年内试产，随后投入量产。