各大厂商遭遇制程瓶颈 NAND闪存下半年将供不应求

NAND型闪存的供应今年下半年将有可能拉响警报，造成供货严重不足主因，除了英特尔（Intel）为了抢进50纳米制程，决定既有的78纳米NAND闪存将暂不供应下游客户端之外，三星电子（Samsung Electronics）和海力士（Hynix）为了强化整体竞争力，被迫将产能加速转进至50纳米，加上为了供应苹果（Apple）下半年庞大的订单，还必须挪出部分采用70纳米制程的产能，在产能两头吃紧的情况下，也无法满足下游客户订单需求，因此，业界预计2007年下半年全球NAND闪存市场将严重的供不应求。

内存厂商表示，来自英特尔的消息指出，由于英特尔及美光（Micron）的合资公司IM Flash采用78纳米制程技术生产成本竞争力无法与三星电子、东芝（Toshiba）及海力士等竞争者互相抗衡，因此，决定现有采用78纳米制程所生产NAND闪存，暂时停止向下游客户供应，仅供应英特尔或美光内部使用。

事实上，IM Flash为了赶上竞争对手，近期已积极地调拨产能抢进50纳米制程，希望能通过50纳米制程得以和三星、东芝及海力士平起平坐，不过，在新制程转换之际，也将造成NAND闪存市场在短期内失去许多来自IM Flash的供应量。

至于三星及海力士同样面临产能调拨造成供给量不足的问题，内存厂商指出，三星及海力士为了能在未来的NAND闪存市场更具有竞争优势，近期均调拨相当多的产能至50纳米制程，但截至目前，采用50纳米制程的良品率仍然不佳，使得产量未能如预期，加上为了满足苹果下半年NAND闪存订单的庞大需求，必须保留部分70纳米制程产能，在产能两头起火的情况下，NAND闪存供应量出现明显不足。

此外，由于苹果即将推出iPhone及高端iPod，NAND闪存市场需求大增，国际NAND闪存厂商纷纷展开了先进制程的竞赛，转入50纳米制程，但因为制程转换造成出货量不足，加上自第三季度起进入了消费性电子传统旺季，包括MP3播放器、存储卡、U盘等需求纷纷上扬，在市场需求增温、供应端却出问题的情况下，NAND闪存的供需落差会更加严重。

内存厂商表示，苹果在下半年需求最多的NAND闪存为4Gb，而采用70纳米制程投产4Gb产品最符合经济效益，因此，三星及海力士等大型NAND闪存制造商，仍必须将适当产能保留在70纳米制程，但这也造成了整体NAND闪存供应量明显降低。整体而言，进入2007年下半年后，全球NAND闪存市场出现严重供不应求的情况在所难免。