DDR价格将提前触底反弹

根据DRAMeXchange所公布的最新市场分析报告，该机构DRAM总产值综合指数在3月7日至13日，由3007下降至3000，反映DDR与DDR2现货市场的价格微幅走跌。而在现货市场方面，DRAM买气不振，DDR 256Mb (32MbX8) UTT价格维持在1.79美元，DDR 256Mb (32MbX8) 400MHz价格则微幅下滑至2.08美元。此外DDR2与NAND闪存价格，亦因市场需求疲软而呈现下跌趋势。

DRAMeXchange表示，由于许多模组厂DDR2库存回补完毕后，并无新增加的买盘，而目前现货市场主流需求仍在DDR芯片，DDR2因计算机系统厂商停止在现货市场收货，价格自3月初开始微幅下滑，DDR2 533MHz 512Mb (64MbX8)价格，目前已由5.09美元下跌至5.04美元。而在NAND闪存市场部份，由于现货市场整体需求疲软，随着越来越多的NAND闪存货源流入现货市场，价格持续下滑并集中在1Gb至4Gb，幅度约为5~8%；8Gb至16Gb NAND闪存现货价的下滑则较平缓，幅度仅1~2%。

回顾DRAM现货价过去三个月走势，DRAMeXchange指出，DDR 256Mb 32Mbx8价格于2005年12月初，因需求增强而由2美元上涨15%，并在2006年1月中旬达2.33美元后，价格反转而下，下跌近11%到目前的2.08美元。而DDR 256Mb 32Mbx8 eTT (UTT)价格，则由1.8美元上涨近27%，至1月的2.3美元，几乎与品牌芯片同价位；随后价格亦反转而下，下跌近22%至1.8美元。该机构认为根据历史经验，DDR芯片的价格底线即将浮现，即使电子业传统淡季(第二季)即将到来，其价格下跌幅度预估不会超过10%，并将开始蓄势向上。

DRAMeXchange观察指出，英特尔(Intel)于2006年第一季及第二季仍有约30%的865系列芯片组，70%为915、945系列，威盛(VIA)支持DDR2芯片组要到6月才会上市，硅统(SIS)则于第三季才会量产支持DDR2的芯片组。而AMD支持DDR2的CPU──M2，要到6月才会同时供应现货及合约市场。因此该机构保守估计在计算机应用内存方面，DDR在第二季仍将占DDR及DDR2总合之四成左右，其比例至第四季则将降至二成以下。

而DDR2在现货市场的走势，则略不同于DDR的走势。DRAMeXchange表示，2005年底合约市场DDR2开始呈现缺货效应，使计算机系统大厂至现货市场抢进DDR2；DDR2 512Mb 64Mbx8由3.75美元，在短短一个月内大幅上涨40%，并在2006年1月底达到5.29美元。而其价格直到3月初才开始走软，微跌5%至5.04美元。同时期的DDR2 eTT 512Mb 64Mbx8也呈现相同走势，由3.02美元上涨超过40%至4.31美元，然后下跌6%到4.05美元。

展望第二季的合约价与现货价格走势，DRAMeXchange表示，淡季效应虽会使价格有下跌压力，但今年第二季价格下跌幅度应不若去年同期。在三星(Samsung)持续增加Mobile RAM、Graphic memory比重下，commodity DRAM的产出成长将受限；Hynix则于淡季来临时，将DRAM设备迁往中国无锡厂，使其第二季产出成长可能呈负成长10% QoQ。此外Micron则将重心转往NAND闪存，commodity DRAM比重在其产品组合中将进一步下降。

而因为DRAM厂积极转进90奈米，良率问题亦可能限制第二季DRAM产出的成长。因此DRAMeXchange进一步预估，第二季DRAM价格跌幅QoQ应不会超过20%，以DDR2 512MB模组为例，第一季合约价均价估计为38.8美元，换算为DDR2 512Mb芯片价格为4.6美元，第二季512MB模组均价则应不会低于31美元，以DDR2 512Mb来说，均价预估不会低于3.7美元。

在NAND闪存部分，则是因高容量终端产品需求出现，减缓了8Gb/16Gb NAND闪存芯片现货价下跌速度。DRAMeXchange指出，目前闪存卡和UFD (USB闪存 Drive)制造商都在寻找容量1GB及2GB产品，相对使得8Gb和16Gb的芯片倍受关注。而相对于欧洲和美国的市场，中国大陆、台湾和韩国地区对这些产品的需求更为强劲。但因每笔订单所需数量依然以现散单状况居多，因此该机构认为这波需求不足改变目前市场供需状况。

至于1Gb到4Gb NAND闪存芯片，需求则主要来自礼品市场，但其力量依然有限，且随着4Gb及以下低容量芯片供应的增加，未来几周内这些芯片的现货价格压力将加大。此外针对市场期待的德国CeBIT展后接单状况，DRAMeXchange则观察认为其需求将不如往年。