【IDF 2005-北京】Hynix内存产品全体亮相

Hynix（海力士）高调参加本次IDF 2005北京分会场，并带来了最新内存产品，包括企业级FB-DIMM、DDR2 Reg-DIMM和高速的DDR2 Unb-DIMM等产品。

Unb DIMM展示，包括了DDR2-667、DDR-500等高速大容量产品

在本次IDF上，Hynix还作了内存相关的主题讲演，请参见本站的相关报道。在Hynix展台上，我们能明显感觉到DDR2已经迅速成熟，而FB-DIMM也已经整装待发。

企业级高端DIMM产品，包括FB-DIMM与Reg-DIMM（含DDR2与DDR）

在企业级高端DIMM方面，Hynix的产品也预示着未来的发展方向，Reg-DIMM在DDR2时代并不会完全被FB-DMM所取代，它将负责不能完全发挥FB-DIMM能力的低端服务器市场，与FB-DIMM形成互补。

Hynix的512MB PC4200（533MHz）FB-DIMM，单物理Bank设计，双面共8颗芯片，这张相片是带有高级内存缓冲器（AMB，中间那颗最大的芯片）的一面，在另一面中将有5颗内存芯片，除了4颗数据芯片外，还有一颗用于保存ECC数据的芯片。目前，AMB芯片主要由Intel提供。

Hynix的未来FB-DIMM产品设计，图中显示的是1GB PC4200（533MHz）FB-DIMM设计，采用双物理Bank设计，AMB一面有8颗数据芯片，背面有10颗芯片，黄圈中的两颗为ECC数据芯片，分别保存一个物理Bank的ECC数据

在未来，Hynix计划到2006年第二季度以90nm工艺量产512Mb DDR2芯片，2006年第三季度量产1Gb DDR2芯片以用于FB-DIMM，目前的生产技术水平则是110nm。